サムスン半導体技術を中国へ漏えい　元研究員に懲役7年＝韓国地裁

【ソウル聯合ニュース】韓国サムスン電子の半導体の中核技術を中国企業に漏えいしたとして、産業技術保護法違反などの罪に問われた元同社研究員（56）に対し、ソウル中央地裁は22日、懲役7年の実刑判決を言い渡した。

　地裁は、流出した技術が「国家核心技術」に該当し、被告が漏えいの過程で共謀した事実が認められると指摘した。

　また「韓国の大企業が巨額を投じて開発した重要情報を取得し、外国（企業）に使わせた」とし、「企業はもちろん韓国全体に損害を負わせたため、厳罰は免れない」と断じた。

　被告は同じくサムスン電子の元部長と共に、中国の半導体大手、長鑫存儲技術（CXMT）へ転職する際、サムスンのDRAM（半導体メモリーの一種）の技術を同社に漏えいしたとして、昨年5月に起訴された。

　CXMTは中国の地方政府が2兆6000億ウォン（約2800億円）を投じて設立した中国初のDRAMメーカー。漏えいした技術は、サムスン電子が1兆6000億ウォンを投じて世界で初めて開発した回路線幅10ナノ（ナノは10億分の1）メートル台のDRAMの最新工程技術とされる。

　被告は技術提供の見返りとして、CXMTから契約金3億ウォンやストックオプション（株式購入権）などを含め、6年間で計29億ウォンを受け取っていたことが判明している。

　一方、先に起訴されていた元部長は、2016年にCXMTへ転職した際に中核技術を漏えいした罪で、二審で懲役6年、罰金2億ウォンの判決を受けた。しかし、大法院（最高裁）が、不正競争防止法上の「取得」「使用」「第三者への漏えい」などを個別に判断すべきだとして、二審判決を破棄しソウル高裁に差し戻したため、現在も審理が続いている。

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