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  • LRDIMM
    LRDIMM
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    Samsung semiconductor module LRDIMM

グローバル市場で証明されたDRAMモジュールソリューション
グローバル市場で証明されたDRAMモジュールソリューション
グローバル市場で証明されたDRAMモジュールソリューション

サムスンのメモリーモジュールは、低電力で最高レベルの性能を提供するため、様々なアプリケーション環境に最適化して設計されています。 サムスンのメモリーモジュールは、低電力で最高レベルの性能を提供するため、様々なアプリケーション環境に最適化して設計されています。 サムスンのメモリーモジュールは、低電力で最高レベルの性能を提供するため、様々なアプリケーション環境に最適化して設計されています。

38 結果
すべての製品
  • DDR
  • 密度
  • 速度
  • 電圧
  • ランク×構成
  • コンポーネントコンポジション
  • ピン数
  • 製品ステータス
LRDIMM パートリスト
DDR
密度
速度
電圧
ランク×構成
コンポーネントコンポジション
ピン数
製品ステータス
DDR4
128 GB
3200 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP8G x 4) x 36
288
Mass Production
DDR4
128 GB
3200 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP 8G x 4) x 36
288
Mass Production
DDR4
128 GB
3200 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP8G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
256 GB
3200 Mbps
1.2 V
8R x 4
(4H 3DS 16G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
2666 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
2933 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
3200 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
128 GB
2933 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP8G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
256 GB
2933 Mbps
1.2 V
8R x 4
(4H 3DS 16G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
128 GB
2933 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP8G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
256 GB
2933 Mbps
1.2 V
8R x 4
(4H 3DS 16G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
32 GB
2133 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP2G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
32 GB
2400 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP2G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
2133 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
2400 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
2933 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
128 GB
2400 Mbps
1.2 V
8R x 4
(4H 3DS 8G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
32 GB
2133 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP2G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
32 GB
2400 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP2G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
32 GB
2400 Mbps
1.2 V
2R x 4
(2G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
2133 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
2400 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
2666 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
2400 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
64 GB
2666 Mbps
1.2 V
4R x 4
(DDP4G x 4) x 36
288
EOL
DDR4
128 GB
2666 Mbps
1.2 V
8R x 4
(4H 3DS 8G x 4) x 36
288
EOL
DDR3
16 GB
1333 Mbps
1.35 V
4R x 4
(DDP1G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
16 GB
1600 Mbps
1.35 V
4R x 4
(DDP1G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
32 GB
1866 Mbps
1.5 V / 1.35 V
4R x 4
(DDP2G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
32 GB
1866 Mbps
1.5 V / 1.35 V
4R x 4
(DDP2G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
32 GB
1866 Mbps
1.5 V / 1.35 V
4R x 4
(DDP2G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
32 GB
1866 Mbps
1.5 V / 1.35 V
4R x 4
(DDP2G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
64 GB
1600 Mbps
1.5 V / 1.35 V
8R x 4
(QDP4G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
64 GB
1600 Mbps
1.5 V / 1.35 V
8R x 4
(QDP4G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
64 GB
1333 Mbps
1.5 V / 1.35 V
8R x 4
(QDP4G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
64 GB
1600 Mbps
1.5 V / 1.35 V
8R x 4
(QDP4G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
64 GB
1333 Mbps
1.5 V / 1.35 V
8R x 4
(QDP4G x 4) x 36
240
EOL
DDR3
64 GB
1600 Mbps
1.5 V / 1.35 V
8R x 4
(QDP4G x 4) x 36
240
EOL

最大3つの製品まで同時に比較可能です。3つを超える製品を比較する場合は、エクスポートボタンをクリックします。

すべての製品仕様は社内での試験結果を反映するものであり、システム構成によって制約を受ける場合があります。

本書掲載の製品外観は単なるイメージであり、実際の製品と異なる場合があります。

サムスン電子では、予告なしに製品の外観や仕様を変更する権利を有しています。

製品の仕様の詳細については、お客様の地区の営業担当にお問い合わせください。

FAQs

  • LRDIMMは、RDIMMのようなレジスタではなく、メモリバッファを備えています。LRDIMMメモリチップは、データセンターやクラウドコンピューティングなどのサーバ設定、高性能コンピュータで使用されています。LRDIMMは特別に設計されたバッファを使用して、データロードをシングルロードに抑えますが、RDIMMはデュアルランクとクアッドランクのバージョンで複数のロードを提示し、データバスにロードできるデータ量を制限しています。
  • RDIMMはLRDIMMと比較して、より低価格で低消費電力になります。また、システムメモリ容量が重要なファクタでなければ、最高速度に到達することも可能です。LRDIMMは、より大きなDRAMメモリ容量を提供します。データビットがデータバッファにバッファリングされるため、より多くのメモリランクをサポートできる可能性があります。LRDIMMはより大きい容量を提供します。LRDIMMを使用すると、可能な限り大きなメモリフットプリントでシステムを構成することができます。ただし、LRDIMMは低容量のRDIMMと比較して、消費電力が高く、レイテンシも高くなります。
  • LRDIMMはRDIMMを置き換えることができます。これは、メモリバスのロードと消費電力を低減するだけでなく、サーバRAMの最大サポート容量も提供します。LRDIMMの消費電力は比較的低いです。そのため、ネットワークサーバの分野でも人気があります。