トランプ米大統領、米航空機爆破のカダフィ大佐と親密交際…自宅裏庭にテント設置

2016年11月16日(水)06:13

　次期アメリカ大統領に決まったドナルド・トランプ氏の大邸宅の裏庭に、巨大テントが建てられたことがある。ベドウィン（遊牧民）が砂漠で過ごす伝統的な住居。

そこにはラクダもいた。

　テントに泊まっていたのは、ジャスミン革命の勢いが及んで紛争になったリビアで、2011年10月20日に死亡した、リビア元最高指導者のムアンマル・カダフィ大佐。「砂漠の狂犬」と恐れられた独裁者だ。

　テロ支援国家としてアメリカから敵対視されてきたリビアだが、2003年に大量破壊兵器を破棄し査察団を受け入れたことで、06年にはアメリカとの国交が正常化した。

　09年9月にカダフィ大佐が訪米したのは、国連総会に出席するためである。カダフィ大佐がテント設営を希望したのはニューヨークのセントラルパークだったが、当局から却下された。テントが建てられたのは、ニューヨーク近郊のベッドフォード。トランプ氏所有の土地である。だが建築法に違反するとして、行政当局から撤去を求められる。そこでトランプは、自宅の裏庭にカダフィのテントを受け入れたのだ。

　カダフィ大佐が外国を訪問する際、テントを持っていくのは常のことだった。ロシアを訪問した際にはクレムリン宮殿に、フランス訪問時には迎賓館にテントを建てた。

　テントやラクダを空輸するのは、ホテルに泊まるより費用がかかる。ベドウィンの子として生まれた、という出自を強調するためのパフォーマンスであった。テントもベドウィンが使うようなものではなく、軍事用だという説もある。バーベキューグリルや大型のフラットスクリーンテレビも備わり、ベドウィンの生活とはかけ離れている。

　09年、ベレー帽を被り国連総会の一般演説に立ったカダフィ大佐は、国連憲章の冊子を両手で広げて「すべての国が平等と記されている」と、その部分を示した。そして安全保障理事会で5カ国の常任理事国だけが拒否権を持っていることに対して、「憲章に反し受け入れられない」と断じ、安保理を「テロ理事会」と罵り、冊子を放り投げた。

●カダフィ大佐の功罪

　トランプ氏は昨年、米CNNのインタビューに「サダム・フセインやムアンマル・カダフィが権力者でいたほうが世界にとっては良かった」と答えている。

　1969年、当時の国王イドリース1世がトルコに病気療養に行っている間に、将校であった27歳のカダフィは軍事行動で政権を掌握、「大リビア・アラブ社会主義人民ジャマーヒリーヤ国」を建国した。国家の最高指導者になった後も、「カダフィ大佐」との呼称を用いた理由は、建国の理念として「国家元首」の存在を否定しているから、「革命」の初心を忘れないため、など諸説がある。

　リビアにはアフリカ最大の油田があり、天然ガスなどの資源も豊富だが、イドリース1世の時代には、アメリカやオランダの資本に握られていた。それらの資源をカダフィは自国の手に取り戻した。

　資源から得られる莫大な富を元にして、食料、医療、教育、電気など基本的な国民生活は無償で提供されるようになった。

卒業した学生が就職できない場合、就職が決まるまで生活費が支給された。

　一方、カダフィが独裁者であったことも事実だ。他国を訪問する時はテントを建てるカダフィだが、首都トリポリでは、「バアブ・アル＝アズィースィーヤ」と呼ばれる宮殿で暮らした。プールもあれば、対空機関砲や地下壕もあった。

　カダフィの護衛をするのは、「アマゾネス・ガード」を呼ばれる30～40人ほどの女性。全員処女であり、純潔の誓いを立てている。ムスリム文化の中で、西洋式の服装や化粧、髪型をし、ハイヒールなどを着用できるので、若い女性の憧れの的だった。

　生活の保障はされている国民だが、言論の自由はない。反政府的な発言をすると、容赦なく投獄され、あるいは命を奪われる。

●テロ支援

　リビアがかつてテロ支援国家であったことも事実だ。1985年12月27日、2つの空港でテロ事件が起きる。イタリアのローマ国際空港では、アメリカのトランス・ワールド航空とイスラエルのエル・アル航空のチケットカウンターで、4人の男たちがライフルを乱射、手榴弾を爆発させた。

オーストリアのウィーン国際空港では、イスラエルのテルアビブ行き航空機のチェックインのための行列に3人の男が手榴弾を投げつけた。2つのテロで19人が死亡、140人が負傷した。パレスチナ人のアブ・ニダル率いるテロ組織が犯行を認め、リビアから武器が提供されたことを明らかにした。

　当時のロナルド・レーガン米大統領は、カダフィを「狂犬」と呼び標的にした。86年4月15日、アメリカは、エルドラド・キャニオン作戦に踏み切った。地中海に展開する航空母艦から飛び立った戦闘機Ｆ－111が、カダフィの宮殿を爆撃。15人の民間人が死亡したとリビアは発表した。カダフィは宮殿におらず、かすり傷ひとつ負っていない。アメリカは空爆を行うまでに同盟諸国に根回しを行っていたが、イタリア政府とマルタ政府からカダフィに情報が伝わっていたのだ。

　88年12月21日、ロンドンのヒースロー空港を飛び立った、パンアメリカン航空のボーイング747－100 で貨物コンテナが爆発した。空中分解した機体は、スコットランド地方のロッカビー村に落下して爆発。乗員乗客259人と村民11名が死亡する。

旅客機の目的地はアメリカで、乗客のほとんどはアメリカ人だった。残骸から発見されたタイマーが、リビアで売られたものであることが判明。リビアの諜報員の犯行であることが突き止められる。アメリカの空爆への報復であった。

　2003年にリビアは、パンアメリカン航空の爆破の責任を認め、賠償を行った。テロ支援国家であることをやめたという証を立てたのだ。

　カダフィがいなくなった現在のリビアは、無政府状態に陥り国民への福祉はなくなった。そしてISの温床としてテロリストの養成所と化している。確かに比較としては、カダフィがいた頃のほうがよかったといえる。

　豊かな資源を元に国民への福祉を実現していたカダフィには、経営的センスがあったとみていいだろう。女好き、過激な発言など、トランプとカダフィには共通点が多く、意気投合したであろうことは想像がつく。カダフィ大佐のテントをトランプが自邸裏庭に受け入れたのは、自然なことだったのだろう。

（文＝深笛義也／ライター）

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半導体の盟主インテルが微細化競争から脱落…台湾TSMCと韓国サムスン、世界2強が激突

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微細化競争からインテルが脱落

　世界最大のプロセッサーメーカーであるインテルは2016年、最先端の微細化を14nmから10nmへ進めることに失敗した。その後、何度も「今年は立ち上がる」という発表を繰り返してきたが、その期待は裏切られ続けた。

現在も、充分に10nmでプロセッサを量産しているとはいいがたい。

　そして、7月末に開催された2020年第2四半期の決算発表で、インテルのボブ・スワンCEOは、次世代7nmが1年以上遅延していることを認めた上で、「プロセッサ生産の外部委託を検討している」と述べた。実際、インテルは画像プロセッサ（GPU）を台湾TSMCに生産委託したという報道がある。委託された生産量は12インチウエハで18万枚であり、6nmプロセスで製造される見込みである。それだけでなく、インテルは、同社の基幹ビジネスであるPC用やサーバー用プロセッサについても、5nmおよび3nmでの生産委託をTSMCに打診している模様である。

　もしこれが事実なら、長らく半導体業界の盟主として君臨してきたインテルが、微細化競争から脱落することになる。その結果、半導体の微細化競争は、TSMCとサムスン電子の2社に絞られるということになろう。

　本稿では、この2社の微細化競争の勝敗が、最先端露光装置EUVの分捕り合戦によって決まることを論じる。しかしその前に、微細加工の原理と露光装置の歴史について解説する。

微細加工の原理

　半導体の微細加工の原理を図1に示す。微細加工は、大まかに、リソグラフィ工程とエッチング工程の二つに分けられる。

　リソグラフィ工程では、まず加工したい膜の上に感光性材料のレジストをスピンコートする。

次に、回路パタンの原板（レチクル）を介して光を照射する。すると、光照射されたレジストが化学反応を起こして溶解性になる。その後、現像液を塗布すると、光照射された部分が溶解し、微細なレジストパタンが形成される。これはポジ型と呼ばれるレジストで、逆に光照射された部分が不溶性になるネガ型のレジストもある。

　リソグラフィ工程の後は、プラズマを用いて、実際にエッチングを行う。エッチング後は、不要なレジストを酸素プラズマによるアッシングによって除去する。リソグラフィ工程では、いかに微細なレジストパタンを形成するかが重要であり、エッチング工程では、いかにまっすぐ加工するかが重要となる。

露光装置の歴史

　リソグラフィ工程のうち、光を照射する露光においては、次に示すレイリーの式によって、レジストパタンの微細性Rが決まる。

R＝K1・λ／NA

　ここで、K1は比例定数、λは光の波長、NAは露光装置におけるレンズの開口数である。この式から、より微細なレジストパタンRを形成するには、光の波長λを短くする、または、レンズの開口数NAを大きくすれば良いことがわかる。

　実際に露光装置の歴史をみると、光の波長を短くする方向で、装置が開発されてきた（図2）。水銀ランプのg線（436nm）、i線（365nm）、次は、エキシマレーザーKrF（248nm）、ArF（193nm）と短波長化された光源が開発された。

　また、ArF（193nm）では、レンズとウエハの間に水を入れる“液浸”と呼ばれる露光装置が開発された。“液浸”にすると、レンズの開口数が大きくなるため、より微細なパタンが形成できるからだ。

　そして、2000年頃から、X線に近い波長13.5nmの極端紫外光（Extreme ultraviolet）を使ったEUV露光装置の開発が始まった。その装置開発は困難を極め、何度も絶望視されたが、とうとう2017～18年頃にオランダのASMLが量産機の出荷に漕ぎつけ、19年にTSMCとサムスン電子が最先端半導体の生産に適用し始めたのである。

　振り返ってみれば、EUV露光装置の開発には、20年弱の歳月を要した。その間に、露光装置業界の勢力図は大きく様変わりした（図3）。1995年にシェア1位だったニコンと2位のキヤノンに代わって、ASMLが台頭してきた。2019年の企業別シェアでは、世界で唯一EUV露光装置を供給しているASMLが88.5％を独占し、ニコンは7.2％、キヤノンは4.4％にとどまっている。

　そして、インテルが脱落し、TSMCとサムスン電子の2社に絞られた微細化競争の勝敗の行方は、1台160億円以上するASMLのEUV露光装置をどれだけ多く導入できるか、その分捕り合戦にかかってきたのである。

EUVの出荷台数と受注残

　ここで、四半期毎にASMLが出荷したEUV台数、および受注残の推移を見てみよう（図4）。ASMLは、2016年第1四半期から2019年第4四半期にかけて、合計59台のEUVを出荷した。年間では、2016年に5台、2017年に10台、2018年に18台、2019年に26台と徐々に増えている。

この中で、2016年の5台は試験機（3350シリーズ）で、2017年以降が量産機（3400シリーズ）である。　

　ASMLもEUVの製造キャパシティを増やしてはいるが、その能力が受注にまったく追いついていない。その結果、受注残は増えていく一方であり、2019年第4四半期には49台に達してしまった。

　そして、この49台の受注残のうちの大部分が、TSMCとサムスン電子であると推測している。では、TSMCとサムスン電子は、今後どのような計画でEUVを導入していくつもりなのか。

TSMCとサムスン電子のデッドヒート

　信頼できる筋からの情報によれば、今年2020年に5nmの量産を開始したTSMCは、2020～22年の3年間に、合計約60台のEUVを導入する計画であるという。また、来年2021年から生産を開始する3nmや現在開発中の2nm用に、2023～25年の3年間に約100台のEUVを導入する見込みであるという。すると、TSMCは現在稼働していると思われる約20台との合計で、2025年には約180台ものEUVが導入されていることになる。

　もはやTSMCの一人勝ちか？　と思ったが、2030年までにTSMCに追いつくと明言しているサムスン電子も（計画では）負けていない。現在、ファソン工場に約10台のEUVが導入されている。これに加えて、ピョンテク工場にEUV棟を建設し、ここに約100台のEUVを5年ほどかけて導入する予定であるという。したがって、計画通りいけば、サムスン電子は、2025年に約110台のEUVを導入していることになる。

　TSMCもサムスン電子も凄まじい計画である。しかし、果たしてASMLは両社の発注に応えることができるのだろうか？　ASMLは、2019年第4四半期に8台のEUVを出荷した。したがって、2020年の1年間で32台のEUVをつくることは可能だろう。ところが、これでは両社の要求には応えられない。

　ASMLは、最低でも年間40台以上、四半期で10台以上のEUVを製造する必要がある。といっても、超精密機械であるEUVの製造能力を短期間で増大することは困難である。したがって、TSMCとサムスン電子が最先端の微細化の頂点を目指して、EUVの分捕り合戦を行うことになるだろう。

　今のところTSMCが優勢であるように見えるが、どちらに軍配が上がるだろうか？　その行方に注目していきたい。

（文＝湯之上隆／微細加工研究所所長）