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BiCS FLASH™ | TLC y QLC
La tecnología de memoria BiCS FLASH™ 3D Flash escalable de KIOXIA aumenta la capacidad de memoria al nivel más alto hasta la fecha
BiCS FLASH™ de KIOXIA es una estructura de celdas de memoria Flash vertical tridimensional (3D). Esta estructura le permite superar la capacidad de la memoria Flash 2D (planar). La memoria BiCS FLASH™ TLC de 3 bits por celda de 1 TB (128 GB*1), una novedad del sector*2, mejora la fiabilidad de la resistencia a la escritura/borrado a la vez que aumenta la velocidad de escritura. La empresa también ofrece un dispositivo BiCS FLASH™ de 1,33 TB que cuenta con tecnología de 4 bits por celda, celda de cuádruple nivel (QLC). Es el primer dispositivo de memoria Flash 3D con estas características.*3
Características principales de la tecnología de memoria flash 3D KIOXIA BiCS FLASH™
- Mayor densidad de almacenamiento por matriz que la memoria Flash convencional
- Mayor rendimiento de velocidad de lectura/escritura
- Mayor fiabilidad que NAND 2D (planar)
- Bajo consumo de energía
Tecnología TLC (celda de triple nivel) y QLC (celda de cuádruple nivel)
La quinta generación de KIOXIA de BiCS FLASH™ ofrece 512 gigabits (GB), 3 bits por celda, celda de triple nivel (TLC) y tecnología QLC de mayor densidad que permite una mayor capacidad de la matriz. KIOXIA logró la mayor capacidad del sector*4 por matriz de 1,33 terabits (TB). Además, una arquitectura apilada de 16 matrices puede alcanzar una capacidad sin igual de 2,66 terabytes (TB) en un solo paquete.
Características principales
- Opciones de embalaje denso
- Alta capacidad de memoria de un solo chip (hasta 2 TB)
- Ecuación de coste/rendimiento favorable
Aplicaciones clave
- Almacenamiento empresarial
- Almacenamiento para centros de datos
- Informática para clientes
- Móvil
- Automoción
- Consumidor
- Industrial
Liderando el impulso hacia una mayor densidad y eficiencia de las memorias
KIOXIA fue el primer actor del sector en imaginar y prepararse para la migración exitosa de la tecnología SLC a MLC, de MLC a TLC, y ahora de TLC a QLC.
La tecnología QLC de KIOXIA es ideal para aplicaciones que requieren soluciones de almacenamiento de alta densidad y un menor coste. El QLC actual reduce la cantidad de superficie a ocupar con la mayor densidad disponible en un solo paquete.
- La densidad del producto se identifica según la densidad de los chips de memoria dentro del producto, no según la cantidad de capacidad de memoria disponible para el usuario final. La capacidad utilizable por el consumidor será menor debido a las áreas de datos generales, el formato, los bloques defectuosos y otras restricciones, y también podrá variar según el dispositivo host y la aplicación. Para más información, consulte las especificaciones del producto correspondiente. La definición de 1Gb = 230 bits = 1 073 741 824 bits. Definición de 1 GB = 230 bytes = 1 073 741 824 bytes.
- 12 de junio de 2007, Comunicado de prensa
- 28 de junio de 2017, Comunicado de prensa
- 20 de julio de 2018, Comunicado de prensa
Products by Applications
Whether it’s automotive applications or compact high performance-oriented PCs or cloud server and hyperscale data center deployments, by delivering advanced high performance, high density, low power, low latency, reliability and more—KIOXIA memory and storage solutions enable the success of emerging applications and allow existing technologies to reach their expected potential.
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In 2007, KIOXIA announced the world‘s first 3D flash memory technology. Presenting our cutting-edge technologies, along with the key points of innovation and our efforts toward further increases in capacity.
KIOXIA invented the world’s first NAND flash memory in 1987. This is an explanation of the structure of flash memory and the mechanism of data storage.
