日本エー・エス・エム(株)

日本エー・エス・エム（ASM）で取り扱っている製品は、半導体を製造する際に用いられるものです。半導体の製造工程は、大別して数工程、細かく見ると数百工程にも亘ります。

当社の装置は、この工程の中で前段階のメインとなる薄膜形成処理をおこないます。シリコン材などからなるウェーハ基板上で化合物ガスを反応させることによりナノ・スケールの成膜を施します。この技術の成否によりメモリー、ロジック、マイクロプロセッサー等の半導体デバイスの性能、ひいてはこれら半導体を用いた電気機器の性能が大きく左右されます。まさに現代社会の技術の根幹を大きく担っている会社です。

「あらゆる製造ラインに満足はない。どこかに必ず問題点があるはずだ」というフレーズが私たちの合言葉ですが、その探求にあたっては、老練で経験豊富な技術者も、駆け出しの一年生技術者も、みな同じテーブルで共に議論し、協力し合って解決策を見出しています。

こういった前向きで風通しの良い文化が、確実に社内に根付いています。若さや、経験のなさに臆する必要は一切ありません。むしろ、それらは新しいものを見出していく上での最大の武器であると私たちは考えています。世界を席巻するASMブランドの技術が生み出されている源泉は、まさにこの環境にあります。私たちは常に、私たちの想いに共感してくださる方、一人ひとりとの出会いを求め続けています。

• 1968年
  • ・Arthur H. del PradoによりオランダのBilthovenに設立。
    ・ウェハプロセス関連装置および組立工程用部品の販売を開始。
• 1975年
  • ・香港にASM／Asia Ltd.を設立。
    ・各種アセンブリーおよび封止工程用装置の製造販売を開始。
• 1976年
  • ・ASM／America Inc.を設立。
    ・米国内にて、CVD装置、測定装置の製造販売を開始。
• 1979年
  • ・香港にて、Computer Vision社のCobilt部門（ボンディング装置関係部門）を買収し、ASM／Assembly Automation Ltd.を設立。
    ・自動アセンブリー装置の製造販売を開始。
• 1981年
  • ・米国にてElmont Internationalを買収し、ASM／Plating Ltd.を設立。
    ・リードフレーム、プレーティングの供給を開始。
• 1982年
  • ・日本エー・エス・エム(株)を設立。
    ・米国にEpsilon Technology,Inc.を設立。
• 1984年
  • ・オランダ・フィリップス社と合弁会社ASM Lithograpy B.V.を設立。
    ・ウェハステッパの製造・販売を開始。
    ・米国にASM Lithography,Inc.を設立。
• 1989年
  • ・日本エー・エス・エム新本社及びR＆Dセンター竣工（東京都多摩市）。
    ・ASM Pacific Technology Ltd.（香港）が、香港証券市場に株式を上場する。
• 1992年
  • ・ウェハプロセス製造装置グループをFront End Groupとして統合。
• 2001年
  • ・ASM China Ltd.を設立。 本社クリーンルームを増築。
• 2004年
  • ・シンガポールに前工程装置の製造工場を設営。
    ・アメリカのNutool社と、韓国のGenitech社を買収。
• 2005年
  • ・ASM Pacific Technology Ltd.がダイボンディング装置シェア、世界第1位となる。
• 2006年
  • ・EEE Spectrumにおいて、世界有効特許保有企業TOP10の1社としてランクイン。
• 2007年
  • 2007年 45nm以下プロセスに向け、ハフニウム・ベースのHigh-kゲート絶縁膜形成を実現するALD装置の大量生産を開始。
• 2008年
  • 2010年 各拠点の製造機能をシンガポールへ集約して新たな生産体制を樹立する。ASM Pacific Technologyが販売実績記録を更新。
• 2011年
  • 2011年 業界トップクラスのメモリーメーカーに対してより強固なPECVD技術の浸透を図る。世界第2位のチップメーカーへのPECVD装置の大量採用実績により、新たな酸化膜アプリケーションの実現を確実にする。
• 現在
  • 回線幅22～15nm対応の成膜装置の市場投入を開始しており、同時に回線幅10～5nm対応の装置の開発に着手。特に回路内の省電力化を図るSiGe, SiC等でのHigh-k膜の形成を可能とするプラズマALD装置の開発拡充を進める。