SK하이닉스, 4세대 D램 양산…‘메모리 빅3’ 경쟁 불붙는다

SK하이닉스가 극자외선(EUV) 노광장비를 활용한 4세대 D램 양산을 시작했다. 4세대 D램 양산은 D램 시장 세계 3위인 미국 마이크론에 이어 두 번째다. 삼성전자도 연내 4세대 D램 양산 계획을 밝혔다. 시장 2·3위 업체가 1위보다 앞서 차세대 D램 양산에 성공하면서 메모리 반도체 3강의 기술 경쟁은 더욱 치열해질 것으로 보인다. 극자외선 노광장비는 반도체 재료인 웨이퍼에 빛을 쬐어 반도체 회로를 형성시키는 첨단 설비다.
 
SK하이닉스는 10나노급(1나노=10억 분의 1ｍ) 4세대 미세공정을 적용한 8기가비트 LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다. LPDDR4는 주로 스마트폰에 사용되는 저전력 D램 반도체다. 회사 관계자는 “SK하이닉스의 D램 중 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 양산된다는 데 의미가 있다”고 했다.
 
SK하이닉스가 양산을 시작한 10나노급 4세대(1a) D램은 가장 최신 기술이다. 반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3대), 1a(4세대) 식이다. SK하이닉스에 따르면 1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어난다. 그만큼 원가 경쟁력이 높다. SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.  
 
조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장(부사장)은 “EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것”이라고 했다.
 
10나노급 1a D램은 지난 1월 3위 업체인 마이크론이 업계에서 가장 먼저 출하하면서 시장에 충격을 줬다. 다만 마이크론은 이 제품을 EUV가 아닌 기존 불화아르곤(ArF) 공정으로 생산한다. EUV 공정에 비해 고효율·초소형 반도체 생산에 불리하다.
 
시장 2·3위에 밀리며 자존심을 구진 삼성전자는 지난 1월 말 실적 발표 때 “올해 EUV 공정을 적용한 4세대 D램 제품을 생산할 것”이라고 밝힌 바 있다. 삼성전자 관계자는 “삼성전자는 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용해 1세대(1x) 10나노급 DDR을 공급했다”며 “4세대 10나노급(1a) D램은 연내에 양산을 시작할 계획”이라고 말했다.
 
익명을 원한 업계 관계자는 “마이크론이 1a D램 양산을 발표할 당시 ‘가짜 뉴스’ 논란이 있었지만, 실제 양산이 확인됐다”며 “그만큼 메모리 반도체 업체 간 미세공정, 양산 기술 격차가 좁혀졌다는 뜻”이라고 설명했다.