劣化エピタキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能 : 基板の影響 Thermoelectric performance of deteriorated SiGe thin films : influence from substrate

イオンビームスパッタ(IBS)装置によって高抵抗Si基板上に堆積したSi-Ge系薄膜が非常に高い性能を示すことを見出した。これまでに完全に結晶成長していないSiGe単体膜が室温において4.5×10^<-2>Wm^<-1>K^<-2>という高い熱電性能を示すことを報告している。しかし,その熱電性能の成分の一つである抵抗値は基板の影響を受けている可能性がある。今回従来の基板の代わりにSOIを用い,さらに従来の試料の基板を切削することによって基板の抵抗値を変え,それによる試料の抵抗値の変化を調査したので報告する.

We found that SiGe thin films on Si substrate prepared by Ion-Beam Sputtering (IBS) technique showed thermoelectric performance as high as 4.5×10^<-2>Wm^<-1>K^<-2>. However the resistivity of SiGe thin film, which is one of the performance components, may be influenced by the substrate. Whereas, by changing the resistivity of the substrate, we confirmed that resistivity of SiGe was not influenced by the substrate.