サムスンが工場の汚染に直面
DRAMチップの製造に特化したサムスンのファウンドリ部門は、数週間前に発生したミスによる課題に直面しています。 これらの間違いは、200 mmウェーハでのDRAMチップの製造に必要なすべての機器が感染したクリーンルームの汚染という形であり、サムスンは新しいウェーハを廃棄する必要があるため、数百万ドルの損失を被っています。

クリーンルームは半導体製造プロセスに不可欠です。なぜなら、クリーンルームはすべての汚染物質をシリコンから遠ざけ、シリコンを清潔で使用可能な状態に保つからです。 Samsungは、1x nmクラスのDRAMチップ用の200 mmウェーハで動作するDRAM製造施設のクリーンルームを確保できていません。 ウェーハ処理に使用されるツールは汚染されているため、相互作用のためにウェーハ自体が汚染されています。 サムスンは「数十億韓国ウォン」を失い、数百万ドルをもたらしたことを認めた。 これがDRAM市場に大きな影響を与えないという安心できることは、生産が計画どおりに進んでおり、問題が整理されていることです。したがって、DRAMの価格に大きな影響がないことを期待できます。

https://www.techpowerup.com/261049/samsung-faces-factory-contamination

機器の問題の影響を受けたサムスンのメモリ生産、数百万ドルの損害を予測
数週間前、サムスンはDRAM工場の1つで製造上の問題を経験しました。同社は、数百万ドルに相当する不特定の損害を被ったと同社は述べています。 原因は機器の汚染でした。

この問題は数週間前に発生しましたが、サムスンは現在問題を解決しており、生産は計画通りに戻っていると言います。 同社はどのファブが影響を受けるかを特定しなかったが、 ComputerBaseによると、1x nmクラスのDRAMを生産したのは直径300mmの最新のウェーハとは対照的に200mmのウェーハ工場でした。

汚染された機器は工場全体に影響を与えました。 サムスンによると、機器にさらされたウエハーのバッチは廃棄する必要があり、数百万ドルの損害をもたらしましたが、内部関係者は、サムスンがまだ影響を完全に推定していないため、さらに高くなる可能性があると推定しました。

今年の初め、TSMCは少なくとも10,000枚のウェーハを損傷し、TSMCに5億5,000万ドルの費用がかかる汚染も経験しました 。


https://www.tomshardware.com/news/samsung-memory-production-impacted-by-equipment-issue-predicts-millions-of-dollars-in-damage