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伊藤 公平  ITOH Kohei

ORCIDORCID連携する *注記
研究者番号 30276414
その他のID
外部サイト
所属 (現在) 2019年度: 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授
所属 (過去の研究課題情報に基づく) *注記 2016年度 – 2019年度: 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 教授
2007年度 – 2016年度: 慶應義塾大学, 理工学部, 教授
2006年度: 慶応義塾大学, 物理情報工学科, 助教授
2002年度 – 2006年度: 慶應義塾大学, 理工学部, 助教授
2003年度 – 2005年度: 慶應義塾大学, 物理情報工学科, 助教授 … もっと見る
2002年度: 慶応義塾大学, 理工学部, 助教授
1999年度 – 2001年度: 慶應義塾大学, 理工学部, 講師
1998年度 – 2000年度: 慶應義塾大学, 理工学部, 専任講師
1996年度 – 1997年度: 慶應義塾大学, 理工学部, 助手 隠す
審査区分/研究分野
研究代表者
固体物性I(光物性・半導体・誘電体) / 応用物性・結晶工学 / 理工系 / 小区分28020:ナノ構造物理関連 / 薄膜・表面界面物性 / ナノ構造物理 / 物性II / 固体物性II(磁性・金属・低温) / ナノ構造科学
研究代表者以外
理工系 … もっと見る / 数物系科学 / 構造・機能材料 / 薄膜・表面界面物性 / 電子デバイス・機器工学 / 電子デバイス・電子機器 / 応用物性・結晶工学 隠す
キーワード
研究代表者
半導体 / 同位体 / 核スピン / スピントロニクス / シリコン / 量子操作 / 金属-絶縁体転移 / スピン / 磁気共鳴 / silicon … もっと見る / 核磁気共鳴 / 自己拡散 / metal-Insulator Transition / 移動度 / 量子ホール効果 / ゲート絶縁膜 / Semiconductor / dopants / イオン化不純物散乱 / 不純物拡酸 / Spintronics / ダイヤモンド / 金属絶縁体転移 / 伝導 / Isotope / 不純物拡散 / Spin / バルク / boron / 低温 / thermal conductivity / 補償比 / 量子センシング / 点欠陥 / transistor / 単結晶成長 / isotope / 量子デバイス / Low Temperature Physics / IC / diffusion / 集積回路 / 量子情報 / 熱伝導 / Semiconductors / Quantum control / ホール効果 / ダイヤモンド中窒素空孔欠陥 … もっと見る
自己拡散 / ナノ構造 / スピン依存光物性 / 磁性半導体 / 磁性体・半導体複合構造 / スピントロニクス / キャリア誘起磁性 / 量子コンピュータ / スピン依存電気伝導 / シリコン / 電子スピン / 量子情報処理 / self-interstitial / 自己格子間原子 / Cavity&circuitQED / マイクロ・ナノデバイス / quantum manipulation of spins / 機能材料 / 計算物理 / vacancy / マイクロ波プラズマ / 微小共振器 / 超高速情報処理 / ダイヤモンド / Cavity & circuit QED / ソリッドステート / センサー / スピンエレクトロニクス / マイクロ・ナのデバイス / Cabity & circuit QED / 量子ビット / ferromagnetic semiconductors / 表面・界面物性 / 高純度同位元素 / enriched isotope / 強磁性半導体 / 材料工学 / spin electronics / spin dependent optical property / ホモエピタキシャル成長 / 同位体ダイヤモンド / シリコン酸窒化 / スピンカプラー / スピントロニクスデザイン / 点欠陥 / フェルミ準位効果 / process modeling / self-diffusion / 空格子点 / 超伝導材料・素子 / プロセスモデリング / 量子コンピューター / 光機能材料 / 磁気共鳴 / スピンエレトロニクス / トンネルFET / point defect / 微細加工 / NMR / spin dependent electrical conduction / silicon / 等電子トラップ / 光物性 / 格子間原子 / 量子センサ / 微細構造 / Fermi level effect / spintronics / スピン量子操作 / スピンカプラ-
  • 研究課題

    (23件)
  • 研究成果

    (285件)
  • 共同研究者

    (43人)
  •  ダイヤモンド量子センサーを用いたハイゼンベルグ限界感度における核スピン検出研究代表者継続中

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      2019 – 2021
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 審査区分
      小区分28020:ナノ構造物理関連
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  シリコン量子ビット集積化に向けたスピン結合基本技術の創製継続中

    • 研究代表者
      安田 哲二
    • 研究期間 (年度)
      2017 – 2019
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・電子機器
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  ダイヤモンドを用いた単一核スピン磁気共鳴の実現研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      2014
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      物性II
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  ナノNMRセンシングを可能とする高機能ダイヤモンド合成

    • 研究代表者
      渡邊 幸志
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2016
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      構造・機能材料
    • 研究機関
      国立研究開発法人産業技術総合研究所
  •  ダイヤモンド量子センシング研究代表者継続中

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      2014 – 2018
    • 研究種目
      基盤研究(S)
    • 研究分野
      ナノ構造物理
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  シリコン中のエンタングルメント及び量子ホログラフィックメモリー動作に関する研究研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      2010 – 2013
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      ナノ構造科学
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  コヒーレント状態と固体量子ビットに基づく量子情報処理の研究

    • 研究代表者
      山本 喜久
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2010
    • 研究種目
      特別推進研究
    • 審査区分
      理工系
      数物系科学
    • 研究機関
      国立情報学研究所
  •  シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御

    • 研究代表者
      植松 真司
    • 研究期間 (年度)
      2006 – 2008
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  次世代ゲート絶縁膜における不純物とシリコンの相互拡散研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      2004 – 2006
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      薄膜・表面界面物性
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  スピントロニクス量子操作研究調整班研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2005
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  半導体ナノスピントロニクス

    • 研究代表者
      宗片 比呂夫
    • 研究期間 (年度)
      2002
    • 研究種目
      基盤研究(C)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  半導体ナノスピントロニクス

    • 研究代表者
      宗片 比呂夫
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2006
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      東京工業大学
  •  核スピンおよび電子スピン量子ビットの作製と量子操作の実現研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      2002 – 2005
    • 研究種目
      特定領域研究
    • 審査区分
      理工系
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  半導体"核スピン"超格子の作製と物性研究への応用研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      萌芽研究
    • 研究分野
      固体物性I(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  高純度^<28>Si同位体単結晶の成長と評価研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      2001 – 2002
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  核スピン濃度と分布を制御した半導体超構造の作製と評価研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      1999
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  高純度^<28>Si同位体バルク結晶成長研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      萌芽的研究
    • 研究分野
      応用物性・結晶工学
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  熱中性子ドーピングされた同位体Ge半導体中の金属-絶縁体転移研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      1999 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(B)
    • 研究分野
      固体物性II(磁性・金属・低温)
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  核スピン濃度と分布を制御した半導体超構造の作製と評価研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      1998
    • 研究種目
      特定領域研究(A)
    • 研究機関
      慶応義塾大学
  •  高純度^<28>Siエピタキシャル層を用いたシリコン自己拡散の研究

    • 研究代表者
      松本 智
    • 研究期間 (年度)
      1998 – 2000
    • 研究種目
      基盤研究(A)
    • 研究分野
      電子デバイス・機器工学
    • 研究機関
      慶應義塾大学
  •  核スピン濃度と分析を制御した半導体超構造の作製と評価研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      1997
    • 研究種目
      重点領域研究
    • 研究機関
      慶応義塾大学
  •  熱中性子ドーピングされた同位体Ge半導体中の金属-絶縁体転移とホッピング伝導研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      1997 – 1998
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      固体物性I(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      慶応義塾大学
  •  半導体同位体工学の応用:強く補償された半導体中の乱れの物理研究代表者

    • 研究代表者
      伊藤 公平
    • 研究期間 (年度)
      1996
    • 研究種目
      奨励研究(A)
    • 研究分野
      固体物性I(光物性・半導体・誘電体)
    • 研究機関
      慶応義塾大学

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