Staff
| 准教授 |
| 宮島 顕祐 | 担当授業：電磁気学２，光物理１，光物理２，科学英語１，応用物理学特別講義(分担)，序論的特別講義(分担)，応用物理学実験(３年):「光吸収」「ファラデー効果」
E-mail: miyajima  rs.tus.ac.jp |
| 助教 |
| 石原 淳 | 担当授業: 物理学実験(2年)、応用物理学実験(3年)
E-mail: j.ishihara rs.tus.ac.jp |
Student
| 大学院修士課程 2年生 |
| 荒木 郁哲 | 希ガス中でのレーザーアブレーションを用いたSiCナノ微粒子の作製 |
| 江文 智 | CuCl単結晶における励起子1s-2p準位間共鳴光による光シュタルク効果の観測とその光物性 |
| 鈴木 樹哉 | 界面活性剤を用いたSiCナノチューブの分散性とその光学特性の評価 |
| 橋本 篤 | 半磁性半導体Cd0.8Mn0.2Teにおける高密度励起子磁気ポーラロンによる非線形発光の生成メカニズム |
| 大学院修士課程 1年生 |
| 内堀 裕太 | CuCl単結晶における励起子1s-2p準位間光シュタルク効果の測定系の改善 |
| 落合 真太郎 | Arガス中でのレーザーアブレーションで作製されたSiC微粒子の特性評価 |
| 河村 康平 | 1光子及び2光子共鳴励起におけるCuCl量子ドット集合系からの励起子分子発光の比較 |
| 北澤 豪 | 半磁性半導体Cd0.8Mn0.2Teにおける高密度励起子磁気ポーラロンスピン偏極メカニズムの外部磁場依存性 |
| 吉田 友春 | CuCl量子ドット集合系における励起子分子超蛍光の励起長依存性 |
| 学部 4年生 |
| 春山 和貴 | CuCl単結晶における1s励起子の減衰定数の温度依存性 |
| 大石田 由布 | AISの光学特性 |
| 大畠 有祐 | 半磁性半導体CdMnTeの作製と評価 |
| 鈴木 啓祐 | CuCl量子ドットの作製と評価 |
| 田中 智也 | 間接遷移型半導体SiCナノチューブの光物性 |
| 古庄 裕也 | 半導体量子構造中のスピンダイナミクス |
| 保坂 十三 | 半磁性半導体CdMnTeの作製と評価 |
| 丸橋 司 | CuCl単結晶における励起子光シュタルク効果 |
| 宮本 尚弥 | 間接遷移型半導体SiCナノ粒子の光物性 |
| 本山 瑛大 | CuCl単結晶における励起子光シュタルク効果の理論計算 |
◆2017年度
(修士修了)小山博睦、那須雅樹、山田拓陸 (学部卒業)大原和久、新道裕介、関澤拓也、田中陽香、星拓良
◆2016年度
(修士修了)井藤拳、熊谷悠紀、橋本優吾、平瀬貴博、廣瀬丈也 (学部卒業)木船涼介、澁谷秀幸、高橋大輝、中村亮太、松川晃、見澤祐太、茂木裕太
◆2015年度
(修士修了)赤津達朗、菅原雅弘、田口雄飛、椿山亮太、長田雅海 (学部卒業)大村直道、加瀬麟太郎、神保将武、齋藤侑祐
◆2014年度
(修士修了)坂庭健史、佐藤弦太、中岡知球、長澤和輝 (学部卒業)荒川達哉、杉田梓、黒葛原愛美、横田謙祐
◆2013年度
(修士修了)安藤洸代、池田圭吾 (学部卒業)相川卓也、須藤信一郎、高橋駿介、中谷大輔、長野智之、平子卓弥
◆2012年度
(学部卒業)浅岡靖彰、新井悠司、大木雄平、鹿目惇、小林亮翔、小又裕紀
◆2011年度
(学部卒業)井出勇人、小林純二郎、松田卓也、矢澤彩
〇大学院進学先
東京大学大学院，東京工業大学大学院，東京理科大学大学院
〇進路先(学部卒・院卒混同)
東京都荒川区職員，日本IBM(株)，(株)NTTデータ，(株)エンプラス，ギガフォトン(株)，コクヨ(株)，柴田科学(株)，(株)ジャパンディスプレイ，スタンレー電気(株)，ソニー(株)，(株)タムロン，(株)デンソー，東京エレクトロン(株)，(株)東京精密，東京電力(株)，東芝(株)，東芝ライテック(株)，日星電気(株)，パナソニック(株)，(株)半導体エネルギー研究所，(株)不二越，富士電機(株)，双葉電子工業(株)，(株)フロウエル，三菱電機(株)，(株)メイテック，(株)リコー，ルネサスエレクトロニクス(株)
