サムスン電子が世界で初めて１０ナノメートル（ｎｍ）半導体製造工程を開発し、スマートフォン用モバイルアプリケーションプロセッサ（ＡＰ）を量産する。１４ナノメートル工程に続いて米国のインテル、ファウンドリー（半導体受託生産）業界トップの台湾ＴＳＭＣとの差をまた広げた。
サムスン電子は１０ナノメートルシステム半導体工程で量産を始めたと１７日、発表した。サムスン電子は昨年１月、業界で初めて１４ナノメートルＡＰを量産した。１ナノメートルは成人の髪の毛の太さの１０万分の１に該当する１０億分の１メートルをいう。工程を微細化して半導体の回路の間隔を減らせば電子移動距離が減って性能は向上し、消費電力は減る。
またウェハー１枚でより多くの半導体を作ることができる。サムスン電子は、今回の１０ナノメートル第１世代工程で生産したＡＰは従来の１４ナノメートル第１世代工程で生産した製品に比べ性能は２７％速くなり、消費電力は４０％減少した、と説明した。ウェハー１枚あたりのチップ生産量は約３０％増えた。
業界ではサムスンが１０ナノメートル工程で自社ＡＰの新型エクシノスとクアルコムのスナップドラゴン（Ｓｎａｐｄｒａｇｏｎ）を量産するとみている。これら製品は来年初めに生産されるギャラクシーＳ８などに搭載される見込みだ。
サムスン電子は「従来のイマージョン露光装備でトリプルパターニング（回路を書き込むパターニング過程を３回繰り返す）技術を適用し、１０ナノメートル工程を開発した」と説明した。サムスンは来年さらに性能を高めた１０ナノメートル第２世代工程を導入する計画だ。
ファウンドリー業界ではＴＳＭＣとサムスン、インテルが激しく競争している。微細工程でリードすればアップルやクアルコムなど顧客の誘致に有利だ。ファウンドリー市場の５０％以上を占めるＴＳＭＣは現在１６ナノメートル工程で量産中であり、１０ナノメートル（来年初め量産）、７ナノメートル工程（来年中量産）を同時開発中だ。しかし７ナノメートルに注力し、１０ナノメートルの開発が遅れる雰囲気だ。
サムスンは７ナノメートル以下の工程ではイマージョン露光装備でなく極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備が必要で、生産性の向上は容易でないとみている。ＥＵＶは１台あたり数千億ウォンにのぼる。しかしＴＳＭＣは７ナノメートルまではＥＵＶなしに従来の露光装備を利用できると考えている。
業界の関係者は「ＴＳＭＣがＥＵＶなしに７ナノメートル工程を開発すればサムスンよりリードすることになるだろうが、そうでなければ１０ナノメートル工程に集中しているサムスンが有利」と述べた。
サムスン電子は１０ナノメートルシステム半導体工程で量産を始めたと１７日、発表した。サムスン電子は昨年１月、業界で初めて１４ナノメートルＡＰを量産した。１ナノメートルは成人の髪の毛の太さの１０万分の１に該当する１０億分の１メートルをいう。工程を微細化して半導体の回路の間隔を減らせば電子移動距離が減って性能は向上し、消費電力は減る。
またウェハー１枚でより多くの半導体を作ることができる。サムスン電子は、今回の１０ナノメートル第１世代工程で生産したＡＰは従来の１４ナノメートル第１世代工程で生産した製品に比べ性能は２７％速くなり、消費電力は４０％減少した、と説明した。ウェハー１枚あたりのチップ生産量は約３０％増えた。
業界ではサムスンが１０ナノメートル工程で自社ＡＰの新型エクシノスとクアルコムのスナップドラゴン（Ｓｎａｐｄｒａｇｏｎ）を量産するとみている。これら製品は来年初めに生産されるギャラクシーＳ８などに搭載される見込みだ。
サムスン電子は「従来のイマージョン露光装備でトリプルパターニング（回路を書き込むパターニング過程を３回繰り返す）技術を適用し、１０ナノメートル工程を開発した」と説明した。サムスンは来年さらに性能を高めた１０ナノメートル第２世代工程を導入する計画だ。
ファウンドリー業界ではＴＳＭＣとサムスン、インテルが激しく競争している。微細工程でリードすればアップルやクアルコムなど顧客の誘致に有利だ。ファウンドリー市場の５０％以上を占めるＴＳＭＣは現在１６ナノメートル工程で量産中であり、１０ナノメートル（来年初め量産）、７ナノメートル工程（来年中量産）を同時開発中だ。しかし７ナノメートルに注力し、１０ナノメートルの開発が遅れる雰囲気だ。
サムスンは７ナノメートル以下の工程ではイマージョン露光装備でなく極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備が必要で、生産性の向上は容易でないとみている。ＥＵＶは１台あたり数千億ウォンにのぼる。しかしＴＳＭＣは７ナノメートルまではＥＵＶなしに従来の露光装備を利用できると考えている。
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