EUPS　のホームページ

ーー最表面原子の電子状態を捉えるーー

ーー材料の性能に直結する情報を得る、産総研生まれの新光電子分光法ーー

　　

HP開設： 2011/01/26     最新更新： 2011/04/04

（少しずつ、 EUPSの説明と測定データ等をリンクします。）

ご気軽にコメント＆質問を（ ブログ、 電子メール）

            

EUPS ニュース

・EUPSが 震災から復旧しました。

　　Si waferのedge scanしたSi2p強度変化から、ビーム径100μm以下を確認。    （更新2011/04/04）

・2011春の応用物理学会が、3/11の地震の影響で、中止になりました。                 （更新2011/03/24）

・ EUPS に関する質問と回答を公開の場で行う、EUPS の ブログサイトを開設          （更新2011/02/12）

・サブnm深さ分解能で、物質内部の電子状態分析を行う挑戦の報告４件他を

                        2011春の応用物理学会講演会で報告　                                    （更新2011/02/02）

・最先端ナノエレクトロニクス分析評価技術国際会議（2011/May　in Grenoble）に

                        EUPSによるhigh-k/metal界面評価のポスター論文を投稿　         （更新2011/02/01）

・ディスプレイの国際会議(2010.Dec)で、EUPS分析の論文がポスター論文賞を受賞　    （更新2011/01/31）

                                     （パナソニック、中山氏ら）

・EUPSのホームページを開設　（更新2011/01/26）

 

Q & A        （更新2011/02/09）

         最表面原子の電子状態は、そんなに重要なの？

         EUPSは何が凄いの？　どうしてEUPSにしかできないの？

 

（展示会等資料）

        産総研オープンラボでのポスター

　　    産総研オープンラボでの説明pptファイル

 

リンク          （更新2011/02/04）

              光電子分光便利サイト、表面分析関連サイト

I. 　EUPSの原理と性能

１．レーザー生成プラズマEUV光源を利用するための工夫（更新 11/03/02）

２．エネルギー分解能0.3eV

３．試料照射光子数の見積もりと放射光との強度比較

４．バンド曲がりの平坦化（表面光起電力、SPV）　           （更新 11/02/08）

５．最表面原子の電子雲の角度分布                             （更新11/02/01)

６．二次電子スペクトルで物性評価（仕事関数、金属性、金属表面の超清浄度、等）

７．絶縁物を中和処理無しで分析（絶縁物の真空準位（仕事関数）の評価も）

 

II.  EUPSの測定例

１．最表面原子の観測                                                                                                 

１−０．EUPSで最表面原子が見える理由　                     （更新 11/01/28）

１−１．2nmと5nmのSiO2を透かして見えるSi基板信号の大きさのXPSとの比較 （更新 11/01/28）

１−２．酸化金属上に付着した一分子層有機物のスペクトル

１−３．MgOのH2O、CO2汚染の検出感度のXPSとの比較

１−４．メタルゲート材料 TiNへのSi, Hfの大量の拡散

１−５．酸素終端Si

 

２．半導体のバンド曲がり

 

３．二次電子測定から

３−１．真空準位（仕事関数）評価

           （何故、EUPSで、絶縁材料の真空準位が見えるか？）

３−２．二次電子強度の材料依存の原理と、絶縁体・半導体・金属の比較

３−３．ナノ薄膜の金属性の評価

３−４．TaNメタルゲートの金属性（耐空乏性）と真空準位の膜厚依存

           MIPS電気特性との比較

３−５．金属表面の超清浄度の評価

 

４．最表面原子の電子雲の傾斜角

４−１．Siウエハ                                                        （更新11/02/18)

４−２．SiC                                                                （更新11/02/18)

４−３．排気ガス浄化粉末触媒の触媒活性と電子雲傾斜角の相関

 

５．帯電シフトから物性

５−０．帯電の原因は四つ                                           （更新11/02/14)

５−１．EUPSでは、100nm SiO2も帯電しない                       （更新11/02/01)

５−２．シフト量は電荷捕獲中心の数

５−３．シフトの進行時定数から、粉末試料の巨大抵抗率の評価

５−４．厚板ガラスを、帯電中和なしで分析

５−５．SiO2の帯電のリーク時定数と温度依存

 

６．もろもろ、表面処理他

６−１．Siウエハーを指でこすっても指脂は1nm程度        （更新11/01/29)

６−２．Pt板にCO 分子が吸着するのは、Pt からCOに電子が移動して （更新11/02/07)

６−３．サブnm深さ分解能のイオンスパッター　              （更新11/02/09)

６−４．排気ガス浄化用粉末触媒の分析

６−５．SiO2ピークの膜厚依存

６−６．バンド曲がりと界面電荷の評価

６−７．銀ペーストによる分析室内の汚染

６−８．Pt, Au平板表面の清浄度、無処理方面と各種処理による変化

 

 

ＩＩＩ．学会報告（予稿原稿）等

           2011 International Conference on Frontiers of Characterization and Metrology for Nanoelectronics (2011 May 23-26) （更新11/01/31）

           プラズマディスプイ技術討論会（11/02/03 パナソニック中山氏EUPSによる保護膜の評価）　（更新11/01/28）

        応用物理学会　2010秋　（帯電機構，各種材料の仕事関数，nm薄膜の金属性）

        応用物理学会　2010春　（電子雲の傾斜角と触媒活性，TaNとWの仕事関数，

                                             TiNの仕事関数の下地high-k膜依存、nmTaNの金属性の膜厚依存）      （更新11/02/01）

 

IV. 　過去の文献

         APL_69 ， APL_72 ， RLE_32

 

測定依頼、共同研究、よろず相談の連絡先　　　 富江敏尚                          

e-mail: t-tomie.aist.go.jp     phone:029-861-5713