■大阪府立大学 MRAM(磁気記録式メモリー)の100億倍以上の膨大なデータ量を記憶できる新方式の半導体素子の動作原理を確認した。材料内部では電子が磁石(スピン)の性質を持ち、その磁石の向きがらせん状になっている。外部から磁力を徐々に高めながら加えると、らせんのひねりが減る。ひねり数をデータに見立てて記憶する。5年以内に素子試作を目指す。
広島大学、放送大学と共同で研究した。クロム・ニオブ・硫黄の化合物などは内部で磁石がらせん状に連なる。外部から磁力を与えると、らせんの形が変わることが理論的に予測されていた。研究チームは電子顕微鏡で材料の表面を観察し、1マイクロ(マイクロは100万分の1)メートルの間に20回のひねりがあるのを確認した。
磁力を与えると、ひねりが1個ずつ減った。MRAMはスピンの上下2方向を区別して2進法で記憶する。今回の原理でらせん20個を使うと20進法で記憶でき、膨大になる。
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