サムスン電子、第３世代「Ｖ　ＮＡＮＤ」量産…世界初

サムスン電子、第３世代「Ｖ　ＮＡＮＤ」量産…世界初

2015年08月12日11時33分
[ⓒ 中央日報/中央日報日本語版]
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  サムスン電子が世界で初めて第３世代２５６ギガビット（Ｇｂ）「Ｖ　ＮＡＮＤ」量産に成功した。拡大するＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場で技術格差を広げ、独走体制を固める戦略だ。Ｖ　ＮＡＮＤはデータを保存する「セル（ｃｅｌｌ）」を３次元垂直構造に重ねたＮＡＮＤ型フラッシュメモリーで、世界でサムスン電子だけが量産している。

  サムスン電子によると、第３世代Ｖ　ＮＡＮＤはセルを従来の第２世代１２８Ｇ（３２段）に比べ１．５倍多い４８段まで重ねることができる。大きさは従来の製品と同じだが、段数が増えるほどセルをより多く重ねることができるため、保存容量を２５６Ｇｂまで増やすことができる。このため第３世代Ｖ　ＮＡＮＤはチップ１枚でスマートフォンに搭載する３２ギガバイト（ＧＢ、１ＧＢ＝８Ｇｂ）容量のメモリーカードを作ることができる。サムスン電子は２０１３年８月に初めてＶ　ＮＡＮＤ（２４段）を量産した後、毎年１世代ずつ発展したＶ　ＮＡＮＤを出している。

  特に第３世代Ｖ　ＮＡＮＤは第２世代に比べてデータをより迅速に保存でき、消費電力量を３０％以上も減らした。また、従来の量産設備を活用し、製品生産性も約４０％高めた。それだけコスト競争力が高まったということだ。

  ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは最近、超高画質（ＵＨＤ）コンテンツの増加にともなう保存装置の高容量化、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に代わるソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）の需要増加などでサーバーおよびモバイル用の需要が急増している。サムスン電子が世界ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場の３７％ほどを占める状況で、第３世代Ｖ　ＮＡＮＤの開発はサムスン電子の市場支配力をさらに強めると予想される。

  サムスン電子にとってＶ　ＮＡＮＤは格別な製品だ。これまでサムスン電子は他社が先に開発した技術を他社より速く発展させて成長したという評価を受けてきた。しかしＶ　ＮＡＮＤはサムスン電子が世界で初めて開発した独自の技術だ。サムスン電子が「ファーストフォロワー」から「ファーストムーバー」に変わる象徴性を持つ。

  サムスン電子はＶ　ＮＡＮＤの競争力をさらに強化し、後発企業の追撃をかわす計画だ。いわゆる「超格差」戦略だ。まず来年の量産を目標に６４段に重ねた第４世代の製品を準備中だ。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー全体のうちＶ　ＮＡＮＤの生産比率もさらに高める計画だ。垂直構造でない平面構造製作方式を選択している競合他社はまだＶ　ＮＡＮＤを開発していない。サムスン電子の関係者は「急速に成長する企業およびデータセンター市場を狙ってＶ　ＮＡＮＤ技術を適用した次世代ＳＳＤラインナップも出す予定」と述べた。
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