東芝は２６日、記憶用半導体の「３次元フラッシュメモリー」で、韓国のサムスン電子を上回る４８層の製造技術を開発し、サンプル出荷を開始したと正式発表した。４８層は世界で初めて。現行製品と比べ、書き込み速度の高速化や書き換え寿命が向上した。東芝は平成２８年前半から本格的に量産を開始し、データセンターやスマートフォンなどで使われる大容量の記憶装置向けに販売展開する。

　記憶素子を垂直に積載する３次元メモリーは、従来の方法よりも、記憶容量を大幅に高められ、次世代の半導体とされている。

　サムスンは昨年から３２層の３次元メモリーを量産していたが、東芝は今回、４８層を実現した。サムスンのメモリーは３２層で容量が１２８ギガ（ギガは１０億）ビットとされる。東芝の容量も１２８ギガビットで同じレベルだ。

　情報端末の普及で、今後はメモリーの大容量化、小型化が予想される。東芝やサムスンが開発競争を繰り広げる３次元メモリーの需要も高まる見通しだ。

　東芝は、今夏にも一部竣工予定の四日市工場（三重県四日市市）の新第２製造棟で、３次元メモリーを順次量産する。今後もコスト低減を図りながら、積層数を増やし、メモリー容量の拡大を目指す。