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「ムーアの法則」が破られるかもしれない:トランジスタと同じ働きをする単分子

グラスゴー大学などのチームが、トランジスタと同様の働きをする新しい分子の設計・合成に成功した。現在のフラッシュメモリには記録量の上限があるが、これが破られる可能性がある。

 
 
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TEXT BY JAMES TEMPERTON
IMAGES BY LAIA VILA NADAL, FELIX IGLESIAS ESCUDERO, LEROY CRONIN, CRONIN GROUP, SCHOOL OF CHEMISTRY, UNIVERSITY OF GLASGOW
TRANSLATION BY RYO OGATA/GALILEO

WIRED NEWS(UK)

英国のグラスゴー大学と、スペインのロビラ・イ・ビルジリ大学の研究チームが、トランジスタと同じような働きをする新しい分子の設計・合成に成功した。ムーアの法則(集積回路あたりのトランジスタ数は約2年ごとに2倍になるという法則)が破られるかもしれないブレークスルーだ。

現在のフラッシュメモリは、データセルの物理的な限界に束縛されている。データセルには金属酸化物半導体(MOS)が使われているが、MOSコンポーネントは10nm以下での製造がほぼ不可能であり、これにより記録量の上限が決まっている。

今回、従来のデータ記憶コンポーネントに代えて、単一分子を使うという革新的技術が成功した。分子ひとつにマルチビットのデータを記憶させることができるようになると、ムーアの法則が破られる可能性がある。


 
 
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