Intel's 3D NAND has 32 layers and 256Gb per die（The Tech Report）
Intel reveals high-density 3D NAND in partnership with Micron （HEXUS）
投資家向けのWebcastでIntelは3D NANDを使用したSSD製品を2015年下半期に計画していることを明らかにした。この3次元技術はMicronと設立したフラッシュメーカー（＝IMFT）の製品として登場する。この3次元NANDでは32層を積層し、1つのMLCダイで256Gb (32GB) の容量を実現する。また、TLCで384Gb (48GB) の容量も実現可能である。
この3D NANDにより「この数年以内に」10TBのSSDを実現できるという。またMobile向けとして2mm厚の規格で1TBのストレージを詰め込むこともできるという。
Intel reveals high-density 3D NAND in partnership with Micron （HEXUS）
投資家向けのWebcastでIntelは3D NANDを使用したSSD製品を2015年下半期に計画していることを明らかにした。この3次元技術はMicronと設立したフラッシュメーカー（＝IMFT）の製品として登場する。この3次元NANDでは32層を積層し、1つのMLCダイで256Gb (32GB) の容量を実現する。また、TLCで384Gb (48GB) の容量も実現可能である。
この3D NANDにより「この数年以内に」10TBのSSDを実現できるという。またMobile向けとして2mm厚の規格で1TBのストレージを詰め込むこともできるという。
3D NANDの層は最新の2Dフラッシュと比較すると古い製造プロセスが用いられる。そして40億の「ピラー」によりこれらの層を貫通し、縦方向の接続を担うという。しかしIntelは3D NANDの製造プロセスに突いての詳細は明らかにしなかった。
実際に動作するシリコンを用いた試作ドライブもプレゼンテーションで示された。Intelは3D NANDを用いたSSDを最初にどのセグメントに投入するかはまだ決定していないようであるが、データセンターや企業向け、PCエンスージアスト向けがリストの上位に示されていた。
Intelが3D NANDを用いたSSDを来年下半期に計画している模様です。フラッシュの製造はIMFTが担う模様で、製造プロセスは明らかにされていませんが、最先端よりは古いプロセスであることが示唆されています。
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