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1D Poisson （1次元デバイスシミュレーター）によるMOS反転層の量子状態の計算
Gregory Snider 氏作の 1D Poisson という1次元デバイスシミュレーターを使ってみた。無料で、シュレーディンガー方程式とポアソン方程式をセルフ・コンシステントに解いてくれるのが特徴と思われる。
↓ここからダウンロードできます。
http://www.nd.edu/~gsnider/
私の入れたパラメータは次の通り。
surface schottky=7.5 v1
SiO2 t=500 Eg=15 deltaEc=7.5
Si t=4000 Na=1e16
substrate
v1 5.0
schrodingerstart=250
schrodingerstop=1250
temp=300K
dy=2
SiO2のバンドギャップが15Vになっているが、とりあえず反転層だけが知りたかったので例題のまま。
下のような結果が得られた。私は、量子力学的効果が入ると伝導帯が丸くなると思っていたのだが、この結果ではとんがっている。これは本当だろうか。最低エネルギー状態は 70meV で幅が 50Åぐらいだろうか。これも正しいのだろうか？
デバイスシミュレーターの使い方が分かったので、とりあえず満足。このシミュレーターについているマニュアルが面白い。一読の価値あり。
↓ここからダウンロードできます。
http://www.nd.edu/~gsnider/
私の入れたパラメータは次の通り。
surface schottky=7.5 v1
SiO2 t=500 Eg=15 deltaEc=7.5
Si t=4000 Na=1e16
substrate
v1 5.0
schrodingerstart=250
schrodingerstop=1250
temp=300K
dy=2
SiO2のバンドギャップが15Vになっているが、とりあえず反転層だけが知りたかったので例題のまま。
下のような結果が得られた。私は、量子力学的効果が入ると伝導帯が丸くなると思っていたのだが、この結果ではとんがっている。これは本当だろうか。最低エネルギー状態は 70meV で幅が 50Åぐらいだろうか。これも正しいのだろうか？
デバイスシミュレーターの使い方が分かったので、とりあえず満足。このシミュレーターについているマニュアルが面白い。一読の価値あり。
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コメントの投稿
No title
1970年前後の F. Stern の論文を見てみたが、オーダーはおかしくない。伝導帯の形が気になる。もっと上の方はすぐに広がっているイメージなのだが。。。