この度,2014年ノーベル物理学賞を受賞される 赤﨑 勇終身教授(名城大学),天野 浩教授(名古屋大学),中村 修二教授(カリフォルニア大学)に心よりお祝い申し上げます.
 赤﨑 勇終身教授 (名城大学) |
 天野 浩教授 (名古屋大学) |
 中村 修二教授 (カリフォルニア大学) |
赤﨑 勇終身教授は,応用物理学会名誉会員,第2回業績賞受賞者であり,天野 浩教授,中村 修二教授は応用物理学会のフェローで,3氏は学会に大変所縁のある会員です.
2010年には,赤﨑 勇終身教授が2009年に京都賞を受賞された際の賞金の一部を基金として,化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤﨑勇賞)が設立されました.
このページでは,3氏に関連する学会機関誌「応用物理」の記事や英文論文誌APEX/JJAP掲載の論文をご紹介していきます.
機関誌「応用物理」創刊75周年記念 特集記事 オーラルヒストリー
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JJAP (Japanese Journal of Applied Physics)
ノーベル財団から発表されたScientific Background on the Nobel Prize in Physics 2014では、JJAPの掲載論文が多数引用されています.(2014年12月末までフリーアクセス)
We introduce JJAP articles by the 2014 Nobel laureates in physics referred in the Scientific Background on the Nobel Prize in Physics 2014 ("The Nobel Prize in Physics 2014 - Advanced Information". Nobelprize.org. Nobel Media AB 2014. Web. 7 Oct 2014.). These papers are free to read until the end of 2014.
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"GaN Growth Using GaN Buffer Layer"S. Nakamura
Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1705 (1991).
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"High-Power GaN P-N Junction Blue-Light-Emitting Diodes"S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh
Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1998 (1991).
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"P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)'"H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki
Jpn. J. Appl. Phys., 28, L2112 (1989).
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"Hole Compensation Mechanism of P-Type GaN Films"S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai
Jpn. J. Appl. Phys., 31, 1258 (1992).
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"Thermal Annealing Effects on P-Type Mg-Doped GaN Films"S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa
Jpn. J. Appl. Phys., 31, L139 (1992).
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"High-Quality InGaN Films Grown on GaN Films"S. Nakamura and T. Mukai
Jpn. J. Appl. Phys., 31, L1457 (1992).
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"Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures"K. Itoh, T. Kawamoto, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki
Jpn. J. Appl. Phys., 30, 1924 (1991).
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"P-GaN/N-InGaN/N-GaN Double-Heterostructure Blue-Light-Emitting Diodes"S. Nakamura, M. Senoh and T. Mukai
Jpn. J. Appl. Phys., 32, L8 (1993).
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"Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device,"I. Akasaki, H. Amano, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka and M. Koike
Jpn. J. Appl. Phys., 34, L1517 (1995).
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"InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes"S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto
Jpn. J. Appl. Phys., 35, L74 (1996).
We proudly introduce review articles on GaN and blue LEDs by Prof. Akasaki and Prof. Amano published in JJAP (Japanese Journal of Applied Physics). These papers are free to read until the end of 2014.
IOP (Institute of Physics)
IOP Publishing has released a congratulatory message and 2014 Nobel Prize Collection of the latest Nobel Prize for Physics laureates which includes a number of articles published in JJAP and APEX. JJAP and APEX are now being published by IOP Publishing in partnership with JSAP.