今年の3月にブログをはじめてから、5ヶ月半が経ちました。
第一種放射線取扱主任者試験を受験する皆さんにとって、少しでも役に立てるようなブログをと思いはじめたわけですが、その試験まであと一週間となりました。
このブログが、今年受験する皆さんの役に立てたかどうかは分かりませんが、受験する皆さんは自分なりに今年の試験に向かって努力してきたと思います。
今年の試験に関しては、私がもうここで改めて皆さんに書く事もないのかなとも思っています。頑張って下さいの一言です。
皆さんの最後の勉強の邪魔をしてもいけないのでしばらく更新は控え、また、試験前日8月20日に更新します。
ブログは毎日チェックしますので、コメント、メール等を下さった方には遅れることなく返信致します。
あと一週間です。
最後の力を振り絞って頑張って下さい。
自分がしてきた勉強に自信を持ってください。
応援しています。
体調管理にだけはくれぐれも気をつけて下さい。
ふー
昨日書いた記事の書式を間違えてしまったため、ブログ画面の文字が青色に変わってしまいました。
そのため、本日、一度昨日の記事を削除し、またアップし直しました。
昨日の記事の日付が本日の日付に変わってしまっていますが、内容は何も変わっていませんことを最初にお伝え致します。
さて、試験まであと1週間ほどとなりました。
暑い中、勉強をすることは大変かと思いますが、もう少しですので頑張って下さい。
放射線概論と過去問題を中心に基本事項の復習をしっかりとして下さい。
国家試験は6割で合格ですので、基本事項をしっかりと抑え得点できることが合否を決めると言っても過言ではありません。
物理、化学、管理測定技術では計算問題を解くための公式がいくつかありますのでもう一度見直してください。
放射線取扱主任者試験では、問題文に単位が書いてありますので、単位は計算する時に非常に役に立ちます。
求められている答の単位を見ることで、計算式を推測することができます。
また、単位に関しては注意も必要です。
求められている答の単位が「秒」なのか「分」なのか、[J]なのか[MeV]なのかなど気をつけてください。
表面汚染密度などを計算する場合、計数率が[cpm]で与えられている場合には、単位を[cps]に直してから、最終的に[Bq/cm2]で答を出すことも結構あります。
核種で半減期やエネルギ－などを覚えるときには、近いエネルギー同士のもの、近い半減期同士のものを一緒に覚えると覚えやすいかもしれません。
例えば、
低エネルギーβ線を放出する核種 ： 3H,14C,33P,35S,45Ca,63Ni
核医学で用いられる低エネルギーγ線を放出す核種 ：
201Tl,99mTc,67Ga,123I,125I
90Sr:28.8年と137Cs:30年
55Fe:2.7年と252Cf:2.6年と147Pm:2.6年と22Na:2.6年
など自分なりに覚えやすいようにまとめると良いかと思います。
過去問題でよく間違えてしまう問題などはこの１週間で目を通してください。
また、基本的な数値は覚えておいてください
アボガドロ数、プランク定数、電気素量、リュードべり定数、光の速度など・・・
（できれば、陽子、中性子、電子の質量及び静止エネルギーも暗記しておくと良いかと思います）
表面汚染に関する問題や非密封放射性同位元素の取扱いに関する問題は非常によく出題されています。
○表面汚染の測定方法について（放射線概論P.504-505）
①直接法：固着性、遊離性の両方の汚染の検出
②間接法（スミア法）：遊離性の汚染の検出固着性汚染：体外被ばくのみ問題となる
遊離性汚染：体外、体内被ばくの両方が問題となる。
①直接法：サーベイメータを使用して汚染を検査する 線源自身の汚染、バックグラウンドの高い場所では不向き
測定時間は時定数の3倍以上に設定 測定時間を時定数の3倍 に設定しておけば、十分
な計数率が得られる。（時定数とは最終値の63.2％に達する時間）
直接法による表面汚染密度を求める公式 ![]( "\small A=\frac{N-N_{b}}{\varepsilon _{1}\cdot W\cdot \varepsilon _{s}}")
A:表面汚染密度[Bq/cm2]、N：測定計数率、Nb：バックグラウンド計数率、
ε1：α,β線などの検出効率、W：測定器の有効面積、εs：汚染の線源効率
線源効率εsは汚染線源の性状で変化するため、実験的に求めることが望ましいが、不明の場合は、
0.25(0.15-0.4MeVのβ線及びα線)
0.5(0.4MeV以上ののβ線)（平成19年度管理測定技術問1Ⅱ,平成22年度管理測定技術問2Ⅲ参照）
②間接法（スミア法）：ろ紙等により表面を拭き取り、その放射能を測定する 32P（1.71MeV)などの0.26MeV以上のβ線ではスミア法で拭き取ったろ紙を液体シンチレーションで測定する場合、チェレンコフ光が利用できる。
間接法による表面汚染密度を求める公式 ![]( "\small A=\frac{N-N_{b}}{\varepsilon _{1}\cdot F\cdot S\cdot \varepsilon _{s}}")
ふき取り効率Fは
0.5(PVCなどの非浸透性固体表面)
0.05(コンクリートなどの浸透性固体表面)
0.1(浸透性、非浸透性の区分がない場合)A:表面汚染密度[Bq/cm2]、N：測定計数率、Nb：バックグラウンド計数率、
ε1：α,β線などの検出効率、F：ふき取り効率、S：ふき取り面積、εs：汚染の線源効率
（平成22年度管理測定技術問2Ⅲ参照）
手や足の汚染測定にはハンドフットクロスモニタが使用される。○非密封放射性同位元素取扱い時の外部被ばくにおける線量率について（放射線概論P.469）
放射能Q[MBq]の線源からr[m]離れた位置での線量率E[μSv･h-1]を求める公式 ![]( "\small \dot{E}=\Gamma _{E}\cdot \frac{Q}{r^{2}}")
ΓE：線量率定数[μSv･m2･MBq-1･h-1]
この外部被ばくの低減化のためには、以下の3つが重要です。
①作業時間の短縮化
②遮へいの強化
③線源からの距離の確保
すなわち、「時間」「遮へい」「距離」の三原則です。遮へいのための半価層、1/10価層の公式も必ず暗記しておいてください。 →
http://radioisotope1.blog.fc2.com/blog-entry-127.html
昨日、管理測定技術に関して少し書きました。
今日は、半導体検出器、液体シンチレーションカウンタについて重要事項をまとめたいと思います。
半導体検出器
・生成した電子－正孔対の両方を電気信号として利用している
・電子－正孔対1個生成するのに必要な平均エネルギーε値 Ge：3eV、Si：3.6eV
参考までに気体検出器の電子－イオン対1個を生成するのに必要な平均エネルギーはW値である。
He：41eV ＞ 空気：34eV ＞ Ar：26eV
半導体検出器の電子－正孔対1個生成するのに必要な平均エネルギーは、気体検出器の気体の電子－イオン対1個を生成するのに必要な平均エネルギーの1/10程度である。同じエネルギーの放射線では気体に比べて10倍の一次電離が発生するため統計的なばらつきも少ない。そのためガス増幅がないにもかかわらずエネルギー分解能が高い。
・半導体検出器は直接電気信号を取り出せるため、光を電気信号に変換する光電子増倍
管は必要としない
・Ge検出器で測定可能なγ線は50keV以上である。広領域型では数keV程度の低エネル
ギーX線まで可能である。
・Si(Li)半導体検出器は50keV以下のβ線や低エネルギーX線（数keVから20keV）のエ
ネルギー測定（核種同定）が可能であり、α線の核種同定はできない。α線のエネルギー
測定（核種同定）が可能な測定器は表面障壁型Si半導体検出器などである。
液体シンチレーションカウンタ
・トリチウム(3H:18eV)の唯一の測定方法である
・低エネルギーβ線
(3H:18keV ,14C:156keV ,35S:167keV ,45Ca:257keV ,63Ni:67keV)やα線の
測定に適する
・エネルギー測定も可能である（エネルギー吸収量に比例した発光をする）核種識別が可能
・2本の光電子増倍管を対向してバイアルに向かい合わせて検出
(同時計数のみカウントすることでノイズを除去する)
・第1蛍光体であるPPOなどの360nmの波長を、光電子増倍管の波長に合わせるために
第2蛍光体(bis-MSBなど)を使用して420nm程度に変換している。
・自己吸収、後方散乱、検出器の窓による吸収がすべて解決する（幾何学的効率100%）
・クエンチング（色クエンチング、化学クエンチング）に注意
・①溶媒が励起、②溶質が励起 の順である。溶媒にはトルエン、キシレン、ジオキサン、
溶質にはPPO、POPOP、PBD
・水素を多く含むため高速中性子のエネルギースペクトルに利用される
・クエンチング補正法
（137Cs：662keV、133Ba：356keVのγ線によるコンプトン電子利用）
・液体シンチレーションカウンタの計数効率としては、3Hにおいてはおよそ65%、14Cに関
しては90%と非常に高い。
昨年私は、物化生、管理測定技術に関しては、過去の問題を見ながら出題されそうな分野をある程度予測したのですが、残念ながら全く当たりませんでした（笑）
管理関連の問題（大抵試験問題の後半部分問3,4,5など）は、覚えることが中心ですので過去問題をしっかりと勉強しておけば十分対応可能かと思います。
個人的には、測定関連の問題（試験問題の前半問1,2,3）が、少し大変な気がしています。
検出器の測定原理や測定方法などは、実際に実務に携わったことのない人には難しく感じられると思います。（私もそうでした）
平成17年年度の問4のGM計数管に関する問題、平成19年度の問1の比例計数管に関する問題、問2のGe半導体検出器に関する問題などはとっつきにくい問題かと思います。
実際の試験では、管理測定技術は時間が足りなくなることも考えられますので、覚えることで解答できる後半の管理関連の問題を先に片づけてから、前半の測定関連の問題をじっくり考えながら解くのもひとつの手かとも思います。自分なりに解答する順番も考えておくと良いかもしれません。
私は物理、化学、物化生、管理測定技術について、計算問題を全て後回しにしています。
管理測定技術の試験で過去に出題された分野は以下のような感じです。
○検出器
比例計数管：平成19
GM計数管：平成17,20,23,24
シンチレーション検出器：平成18,19,22
Ge半導体検出器：平成17,19,21
個人線量計：平成20
検出器に関しては、私は昨年度（平成24年度）はGe半導体検出器や個人線量計に関して出題されると予測していたのですが両方とも出ませんでした。
平成24,23年度とGM計数管、平成22年度はNaIシンチレーション検出器と出題され、Ge半導体検出器は平成21年度に出題されて以来出ていませんので、今年度あたり出題されるような気がしますが…
個人線量計に関してもここ数年出題されていませんので、もしかすると…
○計算問題
排水濃度：平成17,18,19,21,22,24
空気中濃度：平成20
表面汚染：平成19,22,23
非密封RI元素からの外部被ばく（遮へい、半価層など）：平成18,20,21,22,23
トレーサー実験（中性子放射）：平成21
計算問題に関しては、「排水濃度に関する問題」、「非密封放射性元素からの外部被ばくとして遮へいや半価層に関連した問題」がよく出題されています。平成24年度の計算問題は、「統計に関する問題」と「排水濃度に関する問題」でした。
今年度あたりは、「空気中濃度」、「表面汚染」などに関する計算問題が出題される可能性があるかもしれません。
もちろん、「排水濃度」や「非密封放射性元素取扱い時の外部被ばく」などに関する問題も毎年出題頻度の高い問題ですので計算に慣れておいてください。
○統計問題：平成20,24
統計問題は、多くの方があまり好きではない分野かと思います。昨年平成24年度に出題されているので今年度は出題されないと思いますが…
○ブラッグ・グレイの空洞原理：平成18,21,23
ブラッグ・グレイの空洞原理は1年もしくは2年おきくらいに出題されていますので、今年度出題されてもおかしくないかもしれません。
○管理問題で出題されやすい核種
3H,14C,35S,45Caなどの低エネルギーβ線を放出する核種
32Pは高エネルギーβ線を放出 制動放射、遮へい、リングバッジなどに関して頻出核種
40Kは天然放射性核種でβ-壊変、EC壊変で重要核種
123I,125I,131Iなどのヨウ素の放射性同位体は重要核種
137Csはγ線放出核種で取扱い時に関して頻出核種
222Rn,220Rnなどラドン、トロン
今年度あたり出題されそうな分野??
検出器：Ge半導体検出器、液体シンチレーションカウンタ、個人線量計あたり？
計算問題：空気中放射性物質濃度、表面汚染密度、放射性物質取扱い時の外部被ばく
に関する問題
核種：40K,137Cs,32P,ヨウ素,ラドン,トロン？
注意（ブログに書いておきながら注意というのもおかしいですが…）
私の推測は、昨年全く当たらなかったようにあてになりませんので、あまり気せず自分の勉強に頑張って下さい。