サムスン電子、世界で初めて２０ナノＤＲＡＭ量産へ
【ソウル聯合ニュース】サムスン電子は２２日、世界で初めて回路線幅２０ナノメートル（ナノは１０億分の１）のＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）を今月から量産すると発表した。
同社は製品を量産する京畿道の器興・華城工場で同日、記念式典を行う。記念式典には李健熙（イ・ゴンヒ）会長も出席する予定だ。
同社は昨年５月から華城工場に次世代メモリー製品の生産に向け、「第１６ライン」の建設を進め、最近完成した。同ラインではパソコン向けの半導体と、スマートフォン（多機能携帯電話）などモバイル機器向けのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを生産できる。
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