【技術】エルピーダが抵抗変化型64MビットReRAMを開発　不揮発性でNANDフラッシュより高速　2013年に8Gビット品を製品化

1 ：pureφ ★：2012/01/31(火) 15:31:22.75 ID:???

エルピーダが64MビットReRAMを開発、2013年に8Gビット品を製品化

http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/1.jpg
開発したReRAM。4分割された領域のそれぞれが、64Mビットのメモリ・アレイ。
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/P1320682.JPG
エルピーダメモリは1月24日、今回の技術に関する報道機関向け説明会を開催した。
写真は、同技術について説明する、新メモリ開発担当の安達隆郎氏

　エルピーダメモリは、次世代不揮発性メモリの一種であるReRAM（抵抗変化型
メモリ）を開発した（リリース）。64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、
全ビット動作を確認したという。ReRAMの商用化に向けた取り組みを既に始めており、
第1弾製品として「30nm世代の8Gビット品を2013年に市場投入したい。2014年には
本格的な量産に移れるだろう」（同社 取締役 執行役員の安達隆郎氏）とする。

　同社はReRAMを、スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコンなどの「携帯機器
に向ける」（安達氏）という。当面は、こうした機器において、DRAMとNANDフラッシュ・
メモリの間の性能差を埋めるキャッシュ・メモリとしての用途を見込んでいるという。ゆく
ゆくは「DRAMを侵食するメモリになることを期待している。携帯機器では、（消費電力
の大きい）DRAMを少しでも減らして不揮発化したいという声が強いからだ」（同氏）。
ただし現時点では、SSDの高速化を求める、映像系の据え置き型機器の顧客からの
引き合いが強いとする。

　今回開発したのは、Hf系酸化物ベースの抵抗変化素子を用いた、1T-1R型のRe
RAM。データ読み出し時間は20ns以下、書き換え回数は100万回以上であることを
確認したという。今後、Gビット級への大容量化に向けて、動作メカニズムの完全な
解明や、記憶素子の動作バラつきへの対策を進めていく。さらに、今回の試作品では
6F2セルを用いたが、量産品には4F2セルを導入し、セル面積を縮小するという。
DRAMの製造ラインでの量産が可能といい、量産段階でのビット・コストは「DRAMの
70％（DRAM比で30％低減）を狙う」（安達氏）とした。同社は次世代不揮発性メモリ
の候補をReRAMに絞っており、MRAM（磁気メモリ）やPRAM（相変化メモリ）の製品
開発は行っていないという。

　今回の成果は、2010年に始動したNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）
の委託事業におけるもの。シャープ、産業技術総合研究所、東京大学との共同開発
の成果である（Tech-On!関連記事）。

大下 淳一／日経エレクトロニクス　2012/01/25 10:31
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/

エルピーダメモリ株式会社プレスリリース　2012年1月24日
新メモリ（高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM）の開発に成功
http://www.elpida.com/ja/news/2012/01-24r.html

関連記事
エルピーダ，シャープなどがReRAMを共同開発，DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋める
大石 基之＝日経エレクトロニクス 2010/10/13 10:05
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20101013/186394/

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http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1327250004/
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http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1323402624/
【技術】IBMの最終兵器　磁気ナノワイヤの磁区を電子スピン注入で動かす「レーストラック・メモリ」が登場―IEDM 2011レポート
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1324231773/
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http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1325307088/

2 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:32:54.16 ID:3VsKg2Nq

これは熱い！
がんばれエルピーダ！

3 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:34:18.98 ID:T51wMiWb

8GB3000円のこんな世の中じゃ・・・・

4 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:35:13.15 ID:vzXxsmMb

進化に追いついていけるかはこれからなんだね

5 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:35:22.20 ID:O37355DU

広島工場売っちゃうん？

6 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:38:58.96 ID:QXqorpwx

で、1TBいつ実現できるんだよｗｗｗｗｗｗｗｗｗ

やるやる詐欺じゃ意味ねーぞ

7 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:41:13.58 ID:ZXqfqmPg

DRAMの70%なら高すぎだな。

8 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:41:43.03 ID:YVDKtxfD

在日同胞の安隆郎よ、祖国に帰って来るニダ

9 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:50:12.81 ID:6VL+P9CV

フラッシュは1チップ１２８Gbitになろうとしているぞ
大丈夫か？

10 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:51:10.48 ID:LpLJQOv5

資金繰りはどーなったん？

11 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:53:45.46 ID:I7a++nah

生き残るとは思うのだけど増資リスクが高そうで手が出せない
どこと組むのか、資金繰りの仕方が確定してからが無難だろうな

12 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:56:47.79 ID:82p9yfJH

何度でも書き換えられるからNANDフラッシュメモリーな，
notandってのは俗説，これ豆な。

13 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 15:58:08.03 ID:QXqorpwx

高速DRAMならまだ需要あるけど
NANDの代用なんてよっぽど大容量でもないかぎり無価値

14 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:01:59.19 ID:3VsKg2Nq

まず売れるものとして、高速SSDが提案されているだけで、
最終的にはDRAM置き換えの不揮発性RAMだろ。
スイッチを切ってもメモリ上のデータが残っているっていうやつ。

15 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:03:20.75 ID:5MT6epSG

>>13
純NANDでも結構消費電力があったような、DRAM置き換えも狙えるってメモリ速度かつ省電力なら
特に携帯・タブレット系の「性能は欲しいけど電力が」なジレンマの解消にうってつけなんじゃね？

16 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:04:18.46 ID:LRmzwSgc

50nm世代で64Mb品をようやく作れたのに、30nm世代で8Gb品を量産化とか
大きく出たなｗ
容量１００倍！景気がいいね

17 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:08:20.46 ID:Jjd6WS67

資金繰りが苦しいから前宣伝で同意を・・・・

18 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:09:07.94 ID:6VL+P9CV

DRAMを置き換えられるほど、書き換え可能回数がない
よって、フラッシュの置き換えとして考えなくてはならない

19 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:09:30.09 ID:+hbq9ja6

ソース見たけど全ビット動作とはどこにも書いてないな
現在のReRAM製造技術考えると動いてるのは64Mbit中1bitとかだなこりゃｗ
○芝がやったのと同じ手口

20 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:10:27.44 ID:TdgFbno+

実用化するためにサムソンと共同出資が必要だな
サムソン５１％
エル４９％の比率で作るのが理想

21 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:12:21.38 ID:6VL+P9CV

>>20
カスは氏ね

22 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:15:23.86 ID:TdgFbno+

>>21
実力からすれば当然の比率だし
この分野はサムソンがいないと実現できないのは歴史的事実

23 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:17:49.26 ID:VUuhtGUY

>>22
現在の実力差を逆転させようという気持ちが　挑戦

24 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:18:08.73 ID:82p9yfJH

まあSDDの容量，アクセスタイム，寿命が延びるってとこ？

25 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:19:08.62 ID:DStc+6CH

>>22
シャープが絡んでるのに、サムソンをかませるなんてありえんと思うが。
天敵じゃねえか。

26 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:19:25.41 ID:VUuhtGUY

>>24
そうだね。容量より前に　書き込み速度

27 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:23:12.43 ID:QXqorpwx

記憶デバイスの高速化は歓迎するけど接続バスが限られるな
SSDですら一杯一杯なのにｗ

28 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:29:15.53 ID:yU1nfuAQ

>>22
歴史が短すぎだろ
そのへんのオッサンより短いじゃん

29 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:33:47.20 ID:8507eWil

>>26
2時間のHD動画を5秒でコピーできるなんて胸熱だな
8Gbit じゃ足りないけど。

30 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:35:04.18 ID:TdgFbno+

>>25
シャープ？
実績がないだろ

31 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 16:48:17.33 ID:BHS9+wAR

このSSDを早く売ってくれ！！

32 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 17:02:22.34 ID:TdgFbno+

>>31
世界のサムソンに期待したいよな

33 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 17:07:41.04 ID:kllz0jCu

キムチ臭いスレはここですか？

34 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 17:26:14.27 ID:7ZCGD8FB

>22
この業界でサムスンはシャープや東芝の技術パクってるだけなのは周知の事実なの知らんのか？

35 ：嫌韓流：2012/01/31(火) 17:29:36.67 ID:mAUifTr5

別にサムスン様は
痛くも痒くもないんだろう？

36 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 17:29:43.61 ID:50kKDB0y

>>34
それはこの業界にかぎらんだろｗ

37 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 18:30:09.54 ID:8D7nakLn

サムスンは全方位でやってＰＲＡＭは既に商品化してるからな。
決め打ちしてるエルピは業界標準が他のになると厳しいけど。
三星は何が標準になっても大丈夫。

38 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 18:44:29.51 ID:2MU0L5FA

ｴﾙﾋﾟｰﾀﾞがｻﾑﾁｮﾝに抵抗している　に見えた

39 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 19:07:53.24 ID:S6E8dGBQ

>>3
ポイズン。

40 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 19:30:59.75 ID:imhQITub

>>37
特許が絡むから、自力開発しないと無理
フラッシュメモリーみたいに東芝から盗み放題なわけにはいかない

41 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 19:35:34.65 ID:yiU0xLXr

このスレにも頭のいい人沢山いるんだな。

なんのこっちゃさっぱりわからん。

42 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 20:09:15.19 ID:FnqvE6su

なんかPRAMはもう終了だな。
元々相変化物質なんて不安定な物を使うのは無理があったんだ。
DRAM・Flash後継がReRAMでSRAM後継がMRAM、ICカードメモリがFeRAMでしばらくは進んで行きそう。

43 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 20:16:57.99 ID:5IsT6vbF

FRAMはどうした。

44 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 20:19:07.72 ID:FnqvE6su

>>43
ICカード用メモリとして製品化されてるよ。
唯一次世代不揮発性メモリで市場形成に成功した物なんじゃないか？

45 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 20:32:47.74 ID:CGTANonn

なんでチョンがいっぱい湧いてるん？

46 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 20:37:52.52 ID:UMZEtVjo

>>45
察しろｗ

47 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 20:43:16.94 ID:imhQITub

>>43
FeRAM
PRAM
MRAM

どれも相転移を使った素子

強誘電体や強磁性体が
キューリー点で相転移するのはよく知られた話なので
電流を多く流してキューリー点まで温度を上げて
相転移させようなんてことは、みんな考える

BD-RWは結晶の相転移だし
MOは磁性体の相転移
FeRAMは強誘電体の相転移

一方のReRAMって化学変化なんだよね、なのでノーマークだったんだな
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120112/pr20120112.html

48 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 22:04:58.99 ID:TUcSTEiL

>>47
MRAMの磁化反転を相転移と言うのか？

49 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 22:09:24.85 ID:75qayi0Z

>>12
NOR型はなんの略なんだい？

50 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 22:23:41.91 ID:c8WFvtoq

がんばれえええええええええええええええ
えるぴいいだああああああ

51 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 22:23:43.35 ID:yqiQEc6w

FeRAMでもPCMでもMRAMでもレーストラックメモリでもReRAMでも
なんでもいいから、不揮発で高速な記憶媒体をはやく発売してくれ
いつまで出る出る詐欺するんだよ

52 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 22:35:30.64 ID:eg1FSyHZ

スマホのメインメモリに使えるようになればバカ売れじゃないのか？

53 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 22:38:24.39 ID:c8WFvtoq

SDカードが今のSSDよりも速くなるのか
発熱はどうなんだ

54 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 22:51:26.47 ID:RDUBaaON

フラッシュやDRAMの代替になるとしたら何年も後だろ
>>1にもキャッシュメモリとしての用途を見込むって書いてあるじゃん

55 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 22:52:47.13 ID:QXqorpwx

不揮発なメインメモリが出来てもメモリリークはなくならないし
万能と考えるのは早計

56 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 22:58:46.86 ID:qAikfBkC

>>19
＞64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、全ビット動作を確認したという。

と書いてあるのだが？

57 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 23:16:47.13 ID:pLIin7DU

エルピーダ単独じゃどうせ普及させるのは無理
サムスンと提携した方がいい

58 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 23:28:36.56 ID:WKdj954c

いろいろやって結局は寿命を縮めるだけ。
素人はこのニュースで投資しようと考えるんだろうなぁ

59 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 23:33:36.17 ID:5PbOQygN

>>55
すまん、素人なんで間違ってるかもしれんけど
メモリリークってDRAMが電荷を保持し続けられないから起こるんじゃないの？
ReRAMって電荷で情報を保存しているわけじゃないからメモリリークは起こらないのでは？

60 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 23:42:05.71 ID:G2+dn+XA

なるほどインサイダーで捕まった経産省官僚はこれを知ってたのね？

61 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 23:45:52.75 ID:DIk43S6i

>>1
> 写真は、同技術について説明する、新メモリ開発担当の安達隆郎氏
危機管理意識の薄そうな、緊張感のなさそうな、
サムチョンに“イイトコ”だけあっという間にかすめ取られそうなお人好し顔だな。
「えっと、まさかそんなところから盗まれるとは全く想定していませんで・・・（苦笑）」みたいな。

62 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 23:51:39.07 ID:wy7EsEQy

サムスン又賠償金ものだなｗ


ＥＵ、サムスン電子を独禁法違反の疑いで調査　スマホ特許でアップル提訴を問題視
http://www.nikkei.com/news/headline/article/g=96958A9C93819696E1E3E298E48DE1E3E2E3E0E2E3E08698E2E2E2E2

63 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 23:52:17.19 ID:LOLhBKvD

>>57
サムスンはエルピ並みの品質のものは作れないから提携できない

64 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 23:54:28.96 ID:QXqorpwx

>>59
メモリリークはプログラム上の問題で、解放されないメモリ領域が増大していって重くなったり不具合が発生するバグ
定期的に再起動していれば問題はないが起動しっぱなしのサーバーなどでは問題が表面化する事が多い。

65 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 23:54:29.40 ID:1gcUO/tP

>>63
しかし東芝を超えた

66 ：名無しのひみつ：2012/01/31(火) 23:59:34.20 ID:5PbOQygN

>>64
おお、なるほど。
そういう意味だったのね。
定期的にメモリ内一斉掃除していればなんとかならないかな・・・？

67 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 00:06:30.49 ID:Ipfw+bZl

>>66

きつい言い方だが自分でソフトウェアの勉強した方がいい。
ちょっと解説した程度でどうにかなるレベルの知識の欠如じゃない。

68 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 00:27:07.44 ID:qO1D4tPs

>>57
韓国の国家予算は約２０兆円、サムスングループの有利子負債は約２１兆円
残念ながらサムスンには30nmプロセスルールの製造ラインを作る技術も予算もない。

69 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 00:29:25.75 ID:sLxNXS5J

>>66
一斉掃除したら綺麗になるけど使ってるデータまで綺麗になるな

使ってるデータを待避する？


では

使用している領域とメモリーリークをどうやって見極めるのだろうか？
プロセスIDの情報を全てのメモリアドレスに紐付ける？

使用終了してる場合は良いけど常駐しているサービスの場合は？
それにそんな管理したらメモリ容量食い過ぎるし監視も増えて重くなる

70 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 00:30:15.34 ID:ALHeRuOh

>>67
いや、自分に全く必要の無い知識だから勉強する気はないけどさ。
つまり、定期的に電源を落としてリセットできるDRAMと違って
ReRAMはいつまでも確保されたままの領域がどんどん蓄積されていって
いずれいっぱいになるっていうことが問題なんじゃないの？
だったらDRAMみたいに全部リセットしてやればいいんじゃない？
もちろん残容量を計算してリセットするスパン長く出来るようにしてさ。

71 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 00:31:34.00 ID:sLxNXS5J

>>70
必要無いと言いつつ
そんな会話する時点で必要な知識になってるだろと

72 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 00:34:13.55 ID:ALHeRuOh

>>71
いや、パソコン自作で持ってた知識と>>64の内容を纏めただけだよ。
少なくとも専門書買って勉強する必要性は私生活上皆無だね。
この会話も必要でもなんでもないし・・・

73 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 01:16:21.16 ID:sLxNXS5J

>>72
興味ないとか必要無いと言いながら相手から
聞き出そうとするのはかなり失礼じゃないか？

74 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 01:26:42.09 ID:Ipfw+bZl

回線切って首吊っとけと言って欲しかったのか?

程度に合わせて説明するとメモリリークはソフトウェアの話なので物理メモリが
DRAMだろうかReRAMだろうが未知のhogeRAMでもソフトのバグで関係なく起こる。

75 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 01:33:00.11 ID:aATNYxJB

DRAM置換えの不揮発メモリーなんて、どこで、どのように使われるかあまり想像できない。PCなら、少しわかるけど、スマホには搭載する意義が少ないだろうし

76 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 01:54:29.77 ID:Ipfw+bZl

>>75

DRAMは電気を喰う。バッテリーの節約は重要。

77 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 05:33:44.36 ID:DXlzmNVc

ReRAMって既にサムスンが開発してなかったっけ？

78 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 05:50:26.62 ID:Mc0uKbFi

>携帯機器では、（消費電力の大きい）DRAMを少しでも減らして不揮発化したいという声が強いからだ
SRAM使えよ

79 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 05:53:00.04 ID:Mc0uKbFi

あ間違えた
不揮発ほどだと確かにあんまり使わないかもな

80 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 08:40:25.51 ID:MmAHB2II

これって、メモリスタ？

81 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 09:36:43.68 ID:soVRfLZW

なんでもいいから業績持ち直してね…

82 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 09:51:27.85 ID:F3TrgS8W

>>75
DRAMはコンデンサーの回路への作り込みが既に限界らしい
回路自体は30nmぐらいにまでシュリンク可能なんだけど
コンデンサーの電荷を貯める部分の体積が足りなくて
深さ方向に伸ばすしか無いらしく非常に厳しいのだとか
地下10階まである感じ

83 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 19:36:55.95 ID:ALHeRuOh

>>74
その程度のことは66の時点で理解していたのだが・・・
何で死ねと言われるのかがわかんね。

84 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 19:49:17.23 ID:Ipfw+bZl

>>83

理解していたらそんな発言しない。
やっぱり吊っとけ。

85 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 20:05:56.88 ID:XcDbCSVB

>>56
ソース見たけどっつってんだろ阿呆が
日経の二次情報鵜呑みにしてどうすんだよ

86 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 20:12:07.37 ID:ALHeRuOh

>>84
はぁ、いくら話しても平行線だな。
だったらもうその話はいいよ。
とりあえず何で「死ね」と暴言を吐くぐらいブチ切れたのか、それだけ教えてくれ。

87 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 20:35:28.35 ID:XcDbCSVB

garbage collection のことを言ってるのかな？

88 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 21:14:25.26 ID:sLxNXS5J

>>86
発言の内容がかなり失礼だからだろ

89 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 21:47:17.73 ID:XrADBsGM

インサイダーメモリに社名変更しろやクソ会社が

90 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 22:06:36.89 ID:XcDbCSVB

>>88
そんなことないだろ

>>86
質問の意図を理解しないままいまいち見当はずれな知識をひけらかした挙句
それにダメだしされて切れちゃう変な人に運悪く絡まれちゃっただけ
事故だと思ってあきらめなさい

91 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 22:07:52.09 ID:YlBVB1xA

今のところ100万回程度しか書き換えが出来ないんだなぁ。

92 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 22:22:07.37 ID:Xifd/va0

>>89
このままだと台湾企業もろともアメリカのマイクロンに飲み込まれるよ。
エルピーダと言う社名は消えるかもしれん。

93 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 22:31:13.66 ID:sLxNXS5J

>>90
ALHeRuOhの主張をまとめると>>73
意図以前に理解してるといった人がこれはないだろ>>66

94 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 22:32:47.49 ID:MLJ9RGbC

いつ海外生産にするのですか？

95 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 23:24:08.65 ID:ZQR6iHJw

案外サーバー用に需要が有るんじゃないかこれ

96 ：名無しのひみつ：2012/02/01(水) 23:50:42.99 ID:ALHeRuOh

>>95
予期しない停電とかに良さそうだね。
あと、ノートPCとか携帯ゲーム機のバッテリー切れによるデータ消失も防げるだろうね。
3DSはPSPみたいにスリープモードに入らずに完全に電源落とすからなぁ・・・
不揮発性だとそういう心配もしなくていいね。

97 ：名無しのひみつ：2012/02/02(木) 04:56:53.06 ID:j5tW422H

>>83
もう一度語ってくれないか、メモリーリークとは何なのか

98 ：名無しのひみつ：2012/02/02(木) 07:03:27.50 ID:u3gh513H

>>14
日本語で頼むよ

99 ：名無しのひみつ：2012/02/02(木) 09:52:51.36 ID:GCBuF725

リーク電流語るなら分かるが、なぜ不揮発性メモリのスレでメモリーリークを語っている人達がいるのか分からない。

100 ：名無しのひみつ：2012/02/02(木) 10:47:33.98 ID:lxL3lM7H

関係ない知識ひけらかして悦に入ってるだけ

101 ：名無しのひみつ：2012/02/02(木) 13:06:57.15 ID:TjnTUkWt

ひけらかしているのは知識でもないから。