奈良先端科学技術大学院大学の浦岡行治教授らは、たんぱく質を利用して半導体メモリーを作製することに成功した。室温でできるため、低コスト化が期待できる。研究成果は８日付の米物理学専門紙「アプライド・フィジックス・エクスプレス」に掲載される。
研究グループは、直径が13ナノ（ナノは10億分の１）メートルで内部が空洞になった粒子状のたんぱく質を利用した。内部に半導体電極となる酸化コバルトを詰め込み、シリコン基板上に塗った。たんぱく質は「自己組織化」という反応で表面に均等に並び、熱を加えてたんぱく質を取り除くと酸化コバルトだけが残った。従来はセ氏1000度以上で加熱する必要があったため、新技術は電極を安価にできるようになる。
半導体メモリー、たんぱく質、奈良先端科学技術大学院大学、アプライド
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