配線決定装置、配線決定方法、プログラム

半導体パッケージにおいては、ビア部とパッド部又はビア部とビア部を、配線同士が交差せず、かつ、配線間にクリアランスが確保されるように接続する必要がある（以下、設計ルールという）。従来、このような設計は、設計者がＣＡＤシステム上で設計ルールに従うように試行錯誤しながら行っているが、設計者が自らの経験と勘を頼りに、ＣＡＤシステムを操作しながら半導体パッケージの配線を設計すると最適な配線を実現するには多大なる労力および時間を要してしまう。

そこで、交差を自動的に解消することができる配線決定方法が用いられるようになってきた（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１には、順向配線（パッド部から周辺部に設けられたビア部へ向かってほぼ同一方向に配線が向く配線）でなく非順向配線（配線が大方の方向とはほぼ逆向きとなる迂回ルートを有する配線）を適用しても、設計ルールに従う配線パターンを生成する配線決定装置が記載されている。非順向配線は、外観が美しいだけでなく、製造コスト削減や電気抵抗の低減などにつながることが多く、また、温度変化や湿度変化などの外的環境要因による基板の歪みの発生を抑制しやすいとされている。

図１２は、従来の配線決定方法の一例を示す図である。図１２（ａ）はパッドＰ１〜Ｐ５とビアＶ１〜Ｖ５を仮配線Ｗ１〜Ｗ５により接続した配線の初期状態を示す。仮配線Ｗ１〜Ｗ５が互いに交差しているのでこれを順番に解消する。

仮配線Ｗ１とＷ２との交差を解消する場合を説明する。仮配線Ｗ１と仮配線Ｗ２は交点Ｑ１で交差し、交点Ｑ１とビアＶ１の距離と、交点Ｑ１とビアＶ５の距離を比較すると、後者の方が長い。特許文献１では交点までの距離が長い仮配線を迂回することで、迂回の結果生じる配線全体の長さの増加を抑制している。したがって、仮配線Ｗ１を、仮配線Ｗ２の結線先であるビアＶ１を通過する暫定配線Ｗ‘５に置き換える（図１２（ｂ））。

次に、仮配線Ｗ４とＷ５の交差を解消する。仮配線Ｗ４と仮配線Ｗ５は交点Ｑ２で交差し、交点Ｑ２とビアＶ３の距離と、交点Ｑ２とビアＶ２の距離を比較すると、前者の方が長い。したがって、仮配線Ｗ４を、仮配線Ｗ５の結線先であるビアＶ２を通過する暫定配線Ｗ‘４に置き換える（図１２（ｃ））。

次に、仮配線Ｗ３とＷ５の交差を解消する。仮配線Ｗ３と仮配線Ｗ５は交点Ｑ３で交差し、交点Ｑ３とビアＶ４の距離と、交点Ｑ３とビアＶ２の距離を比較すると、前者の方が長い。したがって、仮配線Ｗ３を、仮配線Ｗ５の結線先であるビアＶ２を通過する暫定配線Ｗ‘３に置き換える（図１２（ｄ））。

次に、暫定配線Ｗ‘１とＷ’４の交差を解消する。暫定配線Ｗ‘１と暫定配線Ｗ’４は交点Ｑ４で交差し、交点Ｑ４とビアＶ３の距離と、交点Ｑ４とビアＶ５の距離を比較すると、後者の方が長い。したがって、暫定配線Ｗ‘１を、暫定配線Ｗ’４の結線先であるビアＶ３を通過する暫定配線Ｗ“１に置き換える。また、このとき暫定配線Ｗ”１がパッドＰ１と結線するようビアＶ３とＶ１を暫定配線Ｗ“１で結線する（図１２（ｅ））。

次に、暫定配線Ｗ“１とＷ’３の交差を解消する。暫定配線Ｗ”１と暫定配線Ｗ’３は交点Ｑ５で交差し、交点Ｑ５とビアＶ４の距離と、交点Ｑ５とビアＶ５の距離を比較すると、後者の方が長い。したがって、暫定配線Ｗ“１を、暫定配線Ｗ’３の結線先であるビアＶ４を通過する暫定配線Ｗ’’’１に置き換える（図１２（ｆ））。

以上の処理により、図１２（ｈ）に示すように、暫定配線がビアの中央部で交差するようにして配線の交差を解消することができる。 特開２００６−２６８４６２号公報

ビアの中心を迂回することなく交差を解消して配線を決定する配線決定装置等を提供すること。配線設計データ１０２に基づきパッド部とビア部を直線の仮配線で結び、回避対象ビア部及び回避対象配線を決定する回避対象決定部３２と、回避対象ビア部の略中心を通過する２本の補助線を掃引する補助線掃引部３３と、２本の補助線が形成する象限に対し、回避対象配線でない仮配線の、パッド部等の始点が存在する始点象限を決定する開始象限決定部３４と、回避対象ビア部の略中心から所定のクリアランスを設けて第１の回避点を決定し、始点象限と接しない他方の補助線上に、回避対象ビア部の略中心から所定のクリアランスを設けて第２の回避点を決定するクリアランス決定部３５と、始点、回避点及びビア部、を結線する結線部３６と、を有することを特徴とする。

本発明は、上記課題に鑑み、ビアの中心を迂回することなく交差を解消して配線を決定する配線決定装置、配線決定方法及びプログラムを提供することを目的とする。

ビアの中心を迂回することなく交差を解消して配線を決定する配線決定装置、配線決定方法及びプログラムを提供することができる。