東芝、“ポストＮＡＮＤ”１３年にも実用化へ

　東芝が２０１３年にもＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの後継となる“ポストＮＡＮＤ”を実用化する可能性が高まってきた。スマートフォン（多機能携帯電話）やタブレット端末需要でＮＡＮＤ市場は拡大を続けるが、回路線幅を細くして記憶容量を高める微細化技術の限界が迫っているためだ。市場占有率でＮＡＮＤ首位の韓国サムスン電子に追いつきつつある今、次世代技術を早期に確立できるかが、焦点になる。

　東芝の佐々木則夫社長は２４日の経営方針説明会で「１３年にも次世代メモリーにシフトすることを計算に入れている」と述べ、ポストＮＡＮＤの市場投入時期を示唆した。微細化を進めると同時に、“ポストＮＡＮＤ”を並行して実用化する方針だ。

　東芝は１０年夏に回路線幅２４ナノメートル（ナノは１０億分の１）品を始め、１１年夏には世界最先端となる１９ナノメートル品の量産を開始する計画。微細化のピッチを加速するが、今後鈍るのは確実視される。

　装置メーカー関係者の多くは「微細化が進みすぎるとメモリーが誤作動するケースが増える。１５ナノメートルが限界では」と指摘する。佐々木社長も「（１９ナノメートル品の）次の次の世代まではほぼめどが付いているが、その先は定かでない」と微細化での延命の展開を明確にしていない。

　微細化の限界が見え隠れする中、東芝が“ポストＮＡＮＤ”として有力視するのがセルを平面でなく縦に並べる「３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」だ。セルが大きくても縦方向に積むことで、小さいセルを平面に敷くのと同等以上の効果がある。旧世代の製造技術も利用でき、コスト競争力も高いという。

　東芝はすでに、「ＢｉＣＳ」と呼ぶ３次元ＮＡＮＤの技術を０７年に開発。多層のセルを一度に形成できるのが特徴だ。ＮＡＮＤの製造拠点である四日市工場（三重県四日市市）の関係者の中には「３次元は思っていたより難しい」との声が聞かれ、佐々木社長の青写真通り、進むかは不透明な面もある。ただ、「サムスンも１３年前後の量産を目指しているが、彼らもＢｉＣＳの考え方をもとに開発している。負けるわけにはいかない」と対抗心と自信をのぞかせる。

　東芝はＮＡＮＤと並び成長の柱に位置づけていた原子力事業が東京電力福島第一原発事故で見直しを迫られる。スマートグリッド関連事業など他の事業が育つまで、ＮＡＮＤ事業の行方が同社の推進力を左右する。

　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの１１年１―３月期の市場シェアは首位のサムスンが３６・２％。東芝は３５・１％と猛追する。微細化で先行し、サムスンの背中が見えてきた今、３次元ＮＡＮＤを早期に事業化できるかどうかは、長期的に東芝のシェアを占う試金石になる。