2011年5月2日
エルピーダメモリ株式会社
世界に先駆け、25nmプロセスDRAMを開発
世界最小チップを実現した2GビットDDR3 SDRAM
エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、DRAMの世界最先端プロセスとなる25nmプロセスを採用した2GビットDDR3 SDRAMを開発いたしました。最先端微細加工技術を用いることで、世界最小のチップサイズを実現しています。
このたび、開発に成功しました25nm DRAMプロセス技術は1ビットに用いるセル面積を当社30nm比30%縮小する微細加工技術です。この微細加工技術を用いた2GビットDDR3 SDRAMのウェハあたりのチップ取得数は、当社30nmプロセス品比で約30%増加しています。消費電流も当社30nmプロセス品から、さらに低減（動作時約15%減、待機時約20%減）しており、PCやデジタル家電機器の消費電力低減に貢献するエコフレンドリーDRAMとなっています。また、この25nmプロセスの開発にあたっては、当社30nmプロセスからの構造変更を最小にして、量産時の新たな投資にかかる費用の抑制を図りました。
本年末までにはこの25nmプロセスを用いた4GビットDDR3 SDRAMの量産も予定しており、この製品では30nmプロセス比44%の取得数増加が見込まれております。さらに、この25nmプロセスは当社の注力するMobile RAMTMへの展開も予定しています。
このたび開発した25nmプロセス2GビットDDR3 SDRAMはDDR3-1866（1866Mbps）以上の超高速動作をサポート、また低電圧（1.35V）高速版のDDR3L-1600（1600Mbps）にも対応いたします。
新製品のサンプル出荷、量産開始とも2011年7月を予定しています。
エルピーダはDRAMのテクノロジーリーダーとして、今後も引き続き、設計およびプロセス技術の革新を進め、高速、低消費電力、低コストのDRAMを製品化してまいります。
新製品の主な仕様| 品名 | EDJ2104BFSE／EDJ2108BFSE |
| 製造プロセス | 25nm CMOS |
| 容量 | 2Gビット |
| データ幅 | ×4ビット／×8ビット |
| ピンあたりデータ転送レート | 1866Mbps以上 |
| 電源電圧（VDD） | 1.5V、1.35V（低電圧版） |
| 動作温度範囲（TC） | 0〜95℃ |
以上
Mobile RAMはエルピーダメモリ株式会社の商標です。
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