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太 田 裕 道
名古屋市千種区不老町 名古屋大学大学院工学研究科
化学・生物工学専攻 応用化学分野 無機材料化学講座 准教授
科学技術振興機構さきがけ「ナノ製造技術の探索と展開」領域研究員 兼任
TEL 052-789-3202 / FAX 052-789-3201 / E-mail: h-ohta (@) apchem.nagoya-u.ac.jp |
| 名前 |
太田裕道 （おおた ひろみち） |
| 生年月日 |
1971年 9月21日 |
| 血液型 |
O型 |
| 出身地 |
名古屋市 |
| 専門分野 |
酸化物薄膜成長・デバイス化、熱電変換材料 |
| 趣味 |
インラインスケート、バス釣り、ドライブ |
| 【学 歴】 |
| 2001年10月 |
東京工業大学 総合理工学研究科 物質科学創造専攻 博士課程修了（工学博士） [指導教官：細野秀雄 先生] （細野・神谷研究室へ） |
| 1996年3月 |
名古屋大学大学院 工学研究科 応用化学専攻 博士前期課程修了 |
| 1994年3月 |
埼玉大学 工学部 応用化学科 卒業 |
| 1990年3月 |
愛知県立明和高等学校 卒業 |
| 【職 歴】 |
| 2008年10月～2012年3月 |
科学技術振興機構さきがけ「ナノ製造技術の探索と展開」領域研究員 兼任 |
| 2003年10月～ |
名古屋大学大学院工学研究科・助教授（2007.4 准教授に職名変更） |
| 1999年11月～2004年10月 |
科学技術振興機構（JST）創造科学技術推進事業（ERATO）細野透明電子活性プロジェクト （電子伝導性制御Gリーダー 2002.4～）（神奈川県川崎市） |
| 1998年1月～2003年9月 |
HOYA株式会社 R&Dセンター勤務（東京都昭島市） |
| 1996年4月～1997年12月 |
三洋電機株式会社 ソフトエナジー技術開発研究所勤務（勤務地：淡路島） |
| 【賞 罰】 |
| 第8回（2000年春季）応用物理学会講演奨励賞 |
p-SrCu2O2/n-ZnOワイドバンドギャップp-n接合ダイオードの試作とEL発光 |
| 第59回（平成16年度）日本セラミックス協会進歩賞 |
透明酸化物半導体オプトエレクトロニクスデバイスの開発 |
| 第32回（2010年度）応用物理学会優秀論文賞 |
K. H. Lee, Y. Mune, H. Ohta, K. Koumoto, "Thermal Stability of Giant Thermoelectric Seebeck Coefficient for SrTiO3/SrTi0.8Nb0.2O3 Superlattices at 900 K", Appl. Phys. Express 1, 015007 (2008) |
| 【研究費獲得実績】 |
| NEDO産業技術研究助成事業費助成金（ID 05A23509d） |
局在化した二次元電子ガスを有する誘電体人工超格子の作製と熱電変換材料への応用（研究代表者） 平成18年1月1日～平成20年12月31日 |
| 科学研究費補助金 若手研究（Ａ） 18686054 |
二次元電子ガスを有する酸化物超格子の作製と熱電変換物性 （研究代表者） 平成18年4月1日～平成20年3月31日 |
| 科学研究費補助金 特定領域研究「機能元素のナノ材料科学」 公募研究 20047007 |
誘電体ヘテロ界面に蓄積された二次元電子ガスの電子状態と量子サイズ効果の起源（研究代表者） 平成20年4月1日から平成22年3月31日 |
| 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 さきがけ「ナノ製造技術の探索と展開」 |
電界誘起二次元伝導層の熱起電力と制御 |
| 科学研究費補助金 特定領域研究「機能元素のナノ材料科学」 公募研究 22015009 |
電界誘起二次元電子層の可視化（研究代表者） 平成22年4月1日から平成24年3月31日 |
| 科学研究費補助金 基盤研究（Ｂ）22360271 |
酸化物薄膜トランジスタにおける巨大熱電能の電界変調と赤外線センサー応用（研究代表者） 平成22年4月1日から平成25年3月31日 |
| 【主要研究成果】 |
2010年
水を使って絶縁体から効率のよい熱電材料を作ることに成功 （JSTさきがけ、名大、JFCC、東大、東工大）
H. Ohta, Y. Sato, T. Kato, S-W. Kim, K. Nomura, Y. Ikuhara, and H. Hosono, "Field-induced water electrolysis switches an oxide semiconductor from an insulator to a metal", Nature Communications 1: 118 doi: 10.1038/ncomms1112 (2010) |
2007年
人工宝石SrTiO3の極薄（厚さ0.4ナノ㍍）層に局在化した電子が巨大な熱起電力を発生することを発見 （JST-CREST、JST-ERATO細野プロジェクト、名大、東大、東工大）
H. Ohta, S-W. Kim, Y. Mune, T. Mizoguchi, K. Nomura, S. Ohta, T. Nomura, Y. Nakanishi, Y. Ikuhara, M. Hirano, H. Hosono, and K. Koumoto, "Giant Thermoelectric Seebeck coefficient of a Two-dimensional Electron Gas in SrTiO3", Nature Materials 6, 129 (2007) |
2004年
透明で曲げられる高性能薄膜トランジスタを実現 （JST-ERATO細野プロジェクト、東工大）
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T, Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, "Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors", Nature 432, 488 (2004) |
2003年
高性能透明薄膜トランジスタを実現 （JST-ERATO細野プロジェクト、東工大）
K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, "Thin film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor",
Science 300, 1269 (2003) |
2003年
複雑な結晶構造を有する層状酸化物を簡単に単結晶薄膜化できる「反応性固相エピタキシャル成長法」を開発 （JST-ERATO細野プロジェクト、東大、JFCC、東工大）
H. Ohta, K. Nomura, M. Orita, M. Hirano, K. Ueda, T. Suzuki, Y. Ikuhara, H. Hosono, "Single-crystalline films of InGaO3(ZnO)m (m=integer) homologous phase grown by reactive solid-phase epitaxy",
Advanced Functional Materials 13, 139 (2003) |
2000年
透明酸化物半導体pnヘテロ接合で初の電流注入紫外発光ダイオードを実現 （JST-ERATO細野プロジェクト、分子研、東工大）
H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, N. Sarukura, M. Hirano, H. Hosono, "Current
injection emission from a transparent p-n junction composed of p-SrCu2O2 / n-ZnO", Applied Physics Letters 77, 475 (2000) |