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「Intel、東芝、Samsungが半導体微細化で共同開発」の報道
Intel、東芝、Samsungなどがプロセスルールを10ナノメートル近くにまで微細化するため、コンソーシアムを結成すると報じられている。（ロイター）
半導体メーカーの米Intel、東芝、韓国Samsung Electronicsが、半導体の回路幅を2016年までに10ナノメートル（nm）近くにまで微細化する技術を共同開発すると、日本経済新聞が報じた。
Samsungと東芝――NAND型フラッシュメモリでそれぞれ世界第1位と第2位――は、世界最大の半導体メーカーであるIntelと協力して、近くコンソーシアムを結成し、半導体素材や関連分野の企業約10社に参加を求めるつもりだという。
日本経済産業省はこの研究開発プロジェクトに対し、約100億円の初期資金のうちおよそ50億円を提供する可能性が高く、残る資金はコンソーシアム加盟社が出資する見込みだと同紙は報じている。
東芝とSamsungはこの技術を使って10nmクラスのNAND型フラッシュメモリなどを製造する計画で、Intelはより高速なプロセッサ開発にこの技術を使う可能性が高いという。
1ナノメートルは1ミリの100万分の1で、髪の毛の太さの10万分の1。
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[28日 ロイター]
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