サムスン電子は6日、世界初の8ギガバイト・スマートフォン（PDA〈携帯情報端末〉の機能が付いた携帯電話）用メモリー「ワンナンド」を開発し、今月から量産体制に入ると発表した。

　ワンナンドは、30ナノ級のSLC（シングルレベルセル）ナンドフラッシュ（非揮発性メモリー半導体）、バッファメモリ（臨時記憶装置）、コントローラー（大容量論理回路）を一つのチップに収めたメモリー半導体のこと。一般のナンドフラッシュに比べ速度が4倍ほど速い。

　サムスン電子が今回打ち出した製品は、世界最大容量の8ギガバイト級ワンナンドで、別途メモリーを追加することなく、大容量のスマートフォン用アプリケーションを設置することが可能だ。また、これまでの40ナノ級製品よりも生産性が40％高い30ナノ級工程で生産されるため、価格競争力も高い。

　サムスン電子は、ワンナンドとDRAM（（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）を積み重ねて作ったMCP（マルチチップパッケージ）製品をスマートフォンメーカーに供給し、今年下半期にはワンナンドチップを2個積み重ねたMCPを発表する予定だ。

　市場調査機関のアイサプライによると、携帯電話に使用される内蔵フラッシュメモリー市場の規模は、今年の11億個（1ギガバイト基準）から2011年には25億個に増える見込みだ。

金真（キム・ジン）記者