サムスン電子は19日、20ナノメートル製造プロセスを採用した32ギガビットNAND型フラッシュメモリーの量産を先週末から開始したと発表した。同プロセスによる量産は世界の半導体メーカーで初めて。

　20ナノメートルプロセスでNAND型フラッシュメモリーを生産した場合、同じ原材料で30ナノメートルプロセスの同製品よりも50％の増産を図れる。同社の趙秀仁（チョ・スイン）半導体事業部メモリー担当社長は「20ナノメートルのフラッシュメモリー市場を先取りし、競争力を高める」と述べた。

　一方、今年2月に20ナノメートルプロセスによるNAND型フラッシュメモリーの開発に成功したと発表したハイニックス半導体は、7－9月期から量産に入る計画だ。また、インテルとマイクロン・テクノロジーの合弁会社IMフラッシュ・テクノロジーも4－6月期から20ナノメートルプロセスによる量産を開始すると発表している。

白剛寧（ペク・ガンニョン）記者