メモリー半導体世界シェア1位のサムスン電子は29日、世界で初めて40ナノ級32ギガDRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）モジュールを発売すると発表した。

　サムスン電子は来月からこの製品を生産する予定だ。40ナノ（10億分の1メートル）級の工程とは、半導体内部回路の線幅を40ナノ台に狭めたという意味だ。半導体回路の線幅が狭まるほど、半導体の集積度と生産性は画期的に向上する。

　サムスン電子は、昨年3月に量産した50ナノ級16ギガDRAMモジュールから約1年で容量を2倍、半導体の生産性を60%高めた。

　最近の高性能サーバーは、ギガバイトの1000倍となるテラバイト級以上のメモリー容量を要求するため、今度の製品の活用度は高いとみられる。

　サムスン電子半導体事業部の趙秀仁（チョ・スイン）メモリー担当社長は、「今年は40ナノ級32ギガDRAMモジュールの量産と共に、下半期には30ナノ級の製品を発売、市場を先に攻略する」と語った。

ソル・ソンイン朝鮮経済i記者