延世大の学生がiFデザイン賞受賞

写真提供=延世大
 延世大の学生二人が世界3大デザイン大会の一つ、「iFデザイン賞」で本賞を受賞した。

 延世大によると、ソン・イェスルさん(23)=文献情報学科4年=と中国人留学生のユン・フィさん(23)=生活デザイン学科3年=が、「残量が分かるUSBメモリー」を出品し、iFデザイン賞のコンセプトデザイン部門で本賞を受賞したという。

 iFデザイン賞は、デザイン振興のための国際的な組織インダストリー・フォーラム・デザイン・ハノーファーが1953年から開催しているもので、ドイツのレッドドット・デザイン賞、米国のIDEA賞とともに、世界3大デザイン賞に挙げられる。今回は約5500作品が出品され、100作品に本賞が与えられた。本賞受賞作品は今月末まで、ハノーファー展示センターに展示される。

 ソンさんとユンさんの受賞作品は、USBメモリー本体を指で押すと、残り容量が何ギガバイトか、発光ダイオード(LED)が数字で示すというもの。簡単な発想で製品の利便性を改善し、好評価を得た。ソンさんは、「コンピューターに挿入しないと残量が分からないというUSBメモリーの短所を改善しようと思って作った。よい結果が得られてうれしい」と語った。

孫章薫(ソン・ジャンフン)記者

朝鮮日報/朝鮮日報日本語版

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