サムスン、４０ナノプロセス４Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭ量産
サムスン電子は２４日、昨年１月に５０ナノ級プロセスを用いて世界で初めて開発した４Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭについて、今月から４０ナノ級の最新プロセスで量産に入ったと明らかにした。このＤＲＡＭで、サーバー用の３２ギガバイト（ＧＢ）・１６ＧＢモジュール、ワークステーション（高性能コンピューター）・デスクトップパソコン・ノートパソコン用の８ＧＢモジュールなど、従来の製品より容量が２倍多い大容量メモリーモジュール製品を供給する。
| ４ギガビットＤＤＲ３ＤＲＡＭ（右下）と大容量メモリーモジュール製品＝（聯合ニュース） |
昨年７月に量産を始めた４０ナノ級２Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭでは、最大容量１６ＧＢのモジュール製品を供給したが、４Ｇｂ製品の量産を受け、業界で初めて最大容量３２ＧＢのモジュールを供給できるようになった。
また、４Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭ搭載モジュールは、容量は増えるが消費電力は既存の同一容量製品よりも大幅に減る。同社は、サーバーで合計９６ＧＢのＤＲＡＭを使用した場合、４０ナノ級４Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭを搭載したモジュールは４０ナノ級２Ｇｂ製品を搭載したモジュールより電力消費量が約３５％少ないと説明している。
サムスン電子は４Ｇｂ ＤＤＲ３ ＤＲＡＭの量産を機に、４０ナノ級ＤＤＲ ＤＲＡＭの比率を拡大する。サーバー・パソコン用に供給するＤＲＡＭのうち、上半期中に４０ナノ級製品の割合を９０％以上に引き上げる計画だ。