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エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、世界に先駆け×32ビット構成の1GビットXDR™ DRAMを製品化いたしました。本製品は、グラフィックスメモリで最速のGDDR5をさらに上回る7.2GHzの超高速動作、1デバイスで28.8ギガバイト/秒のデータ転送レートを実現しています。ゲーム機、デジタルテレビ、ブルーレイディスクレコーダーなど、フルHD対応により高いバンド幅を必要とする高性能アプリケーションに最適なメモリです。
ラムバスのライセンシング/マーケティング担当 上級副社長 シャロン・ホルトは、次のようにコメントしております。「今日のコンシューマ機器は高い性能と優れた電力効率を必要とします。受賞実績のあるXDRメモリアーキテクチャに対するエルピーダのリーダーシップにより、幅広い卓越したコンシューマ機器を消費者は享受することが可能になります」
65nmプロセスを採用した本製品は、1.5V低電圧駆動、×32ビット インタフェースの採用により、×16ビット構成の512MビットXDR DRAMの2個搭載に比べ、消費電力を35〜40％削減、かつ省スペースを実現しており、お客さまへ１チップソリューションを提供することが可能です。
エルピーダのモバイル＆デジタルコンシューマDiv.担当執行役員である木下嘉隆は、「現在、本格化するデジタルコンバージェンス時代において、前述の多くのデジタル家電機器がインターネットに接続され、また、H.264/AVCのような高圧縮コードの採用が更に広まり、高バンド幅および大容量メモリ搭載の要求が一段と強まっていきます。今回開発した1GビットXDRはこのような顧客システムの要求をローオペレーションパワーで実現できるDRAMです。今後は、更にXDR DRAMのローパワー化に注力し、ポータブル機器もカバーできるようにしていきたいと考えています」と述べています。
本製品はすでにサンプル出荷を開始しており、量産開始は2009年4月を予定しています。
エルピーダは、XDR DRAMのトップサプライヤーとして、高性能・低消費電力製品の開発に、これからも力を注いでまいります。
新製品の主な仕様
| 製造プロセス |
65nm CMOS |
| データ幅 |
×4／×8／×16／×32ビット プログラマブル |
| ピンあたりデータ転送レート |
7.2GHz
6.4GHz
5E：4.8GHz
4D：4.0GHz
3C：3.2GHz |
| インタフェース |
DRSL（DQピン）、RSL（RQピン） |
| XDRテクノロジ |
Octal Data Rate、DRSL、Flex Phase |
| 電源電圧（VDD／VTERM） |
1.5V／1.2V |
| 動作温度範囲（Tj） |
0〜100℃（Tj：ジャンクション温度） |
| パッケージ |
104ボールFBGA（×4／×8／×16）
150ボールFBGA（×32） |
DRAMバンド幅の比較
以上
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