物質バンド構造 半導体の種類とバンド構造 ダイオードの動作原理 接合トランジスタの動作原理
電界効果トランジスタの動作原理 最初のトランジスタ 集積回路
トランジスタ前の歴史（ダイオード）
半導体にはP型とN型があり、この2種類を接合したものがダイオードと呼ばれ、トランジスタが発明される以前の1939年米国ベル研究所のラッセル・オル（ Russell Ohl）によってゲルマニューム半導体を使用した最初の電子素子であるダイオードが発明されました。これには一定方向にのみ電流を流す整流作用があり、電波を検出する検波器として使用されています。
トランジスタには大きく分けて接合型トランジスタ(Bipolar transistor)と電界効果トランジスタ(Field effect transistor: FET)があります。
接合トランジスタ(bipolar junction transistorBJT)
1947年バーデン（John Bardeen）、 ブラッデン（Walter Brattain）によってゲルマニュウム半導体に電極を接触させた点接触型トランジスタが発明されましたが、接触状態が安定しないことから、広く実用になることはありませんでした。
1951年ショックレ（William Bradford Shockley）によって発明された接合トランジスタはP型とN型の半導体（ゲルマニュウム）の真ん中に他の半導体挟んだ構造（P型の両端をN型で挟んだNPN型、N型の両端をP型で挟んだPNP型）をしておりそれぞれの半導体にエミッタ・ベース・コレクタと呼ばれる３つの端子を取り付けたものです。
電気的には、ベースとエミッタ間に流れる電流の変化が、コレクタとエミッタ間に流れる電流を大きく変化させる（増幅）特性があり、信頼性の高い半導体増幅器等に使用されています。
1954年 ゴードン・テル（Gordon Teal）によってシリコン半導体によるトランジスタが発明されました。