エルピーダメモリは22日、台湾のファウンドリー（半導体受託生産会社）の聯華電子（ＵＭＣ）と次世代ＤＲＡＭ技術の相互利用で基本合意したと発表した。エルピーダは価格競争の激化に対応し、ＵＭＣの技術を使って高性能の次世代ＤＲＡＭの開発期間とコストを圧縮。今後の需要増が見込める分野で先行を狙う。

　エルピーダは大容量で高速かつ低消費電力の次世代ＤＲＡＭの開発に必要な配線技術をＵＭＣから導入する。自社で開発するより開発費を約3割減らせるとみている。一方、ＵＭＣはシステムＬＳＩ（大規模集積回路）に混載するＤＲＡＭの技術をエルピーダから導入する。

　ＤＲＡＭは世界的に供給過剰に陥っており、価格競争が激しさを増している。このため各社は次世代ＤＲＡＭへのシフトを急いでいるが、一方で開発コストの削減が課題となっている。(21:21)