桜井淳所長に拠れば、半導体には、n型とp型があり、前者は、たとえば、4価のシリコン(Si)半導体に5価のリン(P)を添加物として加えれば、結合で余った電子が多数キャリアとなり、電導に寄与し、いっぽう、後者は、シリコンに3価のボロン(B)を添加物として加えれば、結合で不足した正孔空間が多数キャリアとなり、電導に寄与し、普通は、シリコン単結晶に、リンかボロンを注入(Doping)しますが、注入物質の均質性の高いn型シリコン半導体を作成するには、従来の注入法ではなく、原子炉の熱中性子を利用し、核反応を利用して、リンを生成し、リンを均質に注入したに等しい現象を起こすことですが(そのような技術を一口にSilicon Dopingと言います)、その技術は、希な偶然の重なりにより成立しており、その詳細を記せば、天然のシリコンは、Si-28(abundance 92.2%), Si-29(abundance 4.7%), Si-30(abundance 3.1%)からなり、これら3核種の(n,γ),(n,p),(n,α),(n,2n)等を考慮し、放射性核種ができないことが条件になりますが、まず、Si-28について、Si-28安定(n,γ)Si-29安定、Si-28安定(n,p)Al-29(半減期2.25min.)、Si-28安定(n,α)Mg-25安定、Si-28安定(n,2n)Si-29(半減期4.2秒)、つぎに、Si-29について、Si-29安定(n,γ)Si-30安定、Si-29安定(n,p)Al-29(半減期6.6min.)、Si-29安定(n,α)Mg-26安定、Si-29安定(n,2n)Si-28安定、つぎに、Si-30について、Si-30安定(n,γ)Si-31(半減期2.62時間、これがβ崩壊してP-31安定となる)、Si-30安定(n,p)Al-30(半減期3.3秒)、Si-30安定(n,α)Mg-27(半減期9.46分)、Si-30安定(n,2n)Si-29安定となり、目的のSi-30(n,γ)Si-31以外の核反応では、すべて、安定核になるか、放射性核種でも半減期が非常に短いため、後々、取り扱いに困ることもありませんが、このような偶然の重なりは、希な例であり、ひとつ懸念すべきは、ダブルキャプチャ(double capture)現象、すなわち、Si-30(n,γ)Si-31(半減期2.62時間)(n,γ)Si-32(半減期280年)で、Si-32はβ崩壊してP-32(半減期14.3日),つぎに、β崩壊してS-32安定となりますが、Si-32とP-32は、半減期が長く、β線を放出するため、取り扱いが厄介になり(許容値を超えると、半導体としてだけではなく、放射性核種扱いになります)、しかし、直径約15cmのシリコン単結晶に熱中性子を照射し、熱中性子束とSi-30(n,γ)Si-31の中性子断面積から、目的とするP-31のドーピング量を計算・評価し、照射時間を決めているため、結果的に、長時間照射することがないために、問題になるほどのダブルキャプチャが起こっていないことになっているものと推定され、この技術を考案した研究者の着眼点は、すばらしいそうです(Silicon Dopingは、世界の多くの原子炉で実施中であり、日本での熱中性子照射(原子力機構のJRR-3MやJRR-4)による生産量は、国内需要の約10%に過ぎず、輸入に依存しています)。